Zobrazeno 1 - 10
of 28
pro vyhledávání: '"Negoro, Noboru"'
Publikováno v:
In Applied Surface Science 2005 244(1):273-276
Publikováno v:
In Applied Surface Science 2002 190(1):269-274
Publikováno v:
In Applied Surface Science 15 May 2001 175-176:255-259
Publikováno v:
In Applied Surface Science 2000 159:292-300
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Hashizume, Tamotsu, Anantathanasarn, Sanguan, Negoro, Noboru, Sano, Eiichi, Hasegawa, Hideki, Kumakura, Kazuhide, Makimoto, Toshiki
Publikováno v:
Japanese Journal of Applied Physics. Pt. 2, Letters & express letters. 43(6):L777-L779
An Al2O3 insulated-gate (IG) structure was utilized for controlling the surface potential and suppressing the gate leakage in Al0.2Ga0.8N/GaN heterostructure field effect transistors (HFETs) having thin AlGaN barrier layers (less than 10 nm). In comp
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=jairo_______::9d2ef7a3ffb8e25daea15ec247f43cd2
http://hdl.handle.net/2115/33074
http://hdl.handle.net/2115/33074
Autor:
Nagai, Shuichi, Kawai, Yasufumi, Tabata, Osamu, Choe, Songbaek, Negoro, Noboru, Ueda, Tetsuzo
Publikováno v:
2016 IEEE Applied Power Electronics Conference & Exposition (APEC); 2016, p2051-2054, 4p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Kawai, Yasufumi, Nagai, Shuichi, Tabata, Osamu, Fujiwara, Hideaki, Negoro, Noboru, Ueno, Hiroaki, Ishida, Masahiro, Otsuka, Nobuyuki
Publikováno v:
2015 IEEE 11th International Conference on Power Electronics & Drive Systems; 2015, p84-88, 5p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.