Zobrazeno 1 - 2
of 2
pro vyhledávání: '"Negative polarization effect"'
Autor:
Ruipeng Lv, Huiqin Sun, Longfei Yang, Zhen Liu, Yuanhao Zhang, Yuan Li, Yong Huang, Zhiyou Guo
Publikováno v:
Results in Physics, Vol 59, Iss , Pp 107526- (2024)
This article demonstrates the effect of reverse gradient barrier layer and floating gate structure on DC and RF performance of GaN-based HEMTs. In terms of power characteristics, using reverse gradient barrier and floating gate, the GaN-HEMTs with Lg
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/d69fa3102cf24b35b4066813bde57934
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.