Zobrazeno 1 - 10
of 30
pro vyhledávání: '"Negative fixed charge"'
Autor:
Hiller, D., Göttlicher, J., Steininger, R., Huthwelker, T., Julin, J., Munnik, F., Wahl, M., Bock, W., Schoenaers, B., Stesmans, A., König, D.
Publikováno v:
ACS Applied Materials and Interfaces 10(2018)36, 30495-30505
Al₂O₃ on Si is known to form an ultra-thin interfacial SiO₂ during deposition and subsequent annealing, which creates a negative fixed charge (Qfᵢₓ) that enables field-effect passivation and low surface recombination velocities in Si solar
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______4577::295c6a890c4cdedaa1b5dbd04a91f602
https://www.hzdr.de/publications/Publ-27775-1
https://www.hzdr.de/publications/Publ-27775-1
Ion implantation in silicon carbide (SiC) induces defects during the process. Implantation free processing can eliminate these problems. The junction termination extension (JTE) can also be formed without ion implantation in SiC bipolar junction tran
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::1933ee5d87b26bb2ef98e467fe8ffa6c
http://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:kth:diva-181583
http://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:kth:diva-181583
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Florian Werner, Fred Roozeboom, Jan Schmidt, Paul Poodt, Rolf Brendel, Boris Veith, Veronica Tiba
Publikováno v:
Applied Physics Letters, 16, 97
Applied Physics Letters, 97(16):162103, 162103-1/3. American Institute of Physics
Applied Physics Letters, 97(16):162103, 162103-1/3. American Institute of Physics
Using aluminum oxide (Al2 O3) films deposited by high-rate spatial atomic layer deposition (ALD), we achieve very low surface recombination velocities of 6.5 cm/s on p -type and 8.1 cm/s on n -type crystalline silicon wafers. Using spatially separate
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::9b56635c417f9c4310228efa10f69b31
http://resolver.tudelft.nl/uuid:03adddf4-f411-48fe-b3f8-d72005623388
http://resolver.tudelft.nl/uuid:03adddf4-f411-48fe-b3f8-d72005623388
Using aluminum oxide (Al2 O3) films deposited by high-rate spatial atomic layer deposition (ALD), we achieve very low surface recombination velocities of 6.5 cm/s on p -type and 8.1 cm/s on n -type crystalline silicon wafers. Using spatially separate
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dris___00893::aabfda25645cc602daf25e7c465d5e2d
http://resolver.tudelft.nl/uuid:03adddf4-f411-48fe-b3f8-d72005623388
http://resolver.tudelft.nl/uuid:03adddf4-f411-48fe-b3f8-d72005623388
Autor:
S. Srikanth, Shreepad Karmalkar
Publikováno v:
IndraStra Global.
This paper provides more insight into the operation of the Charge Sheet Superjunction (CSSJ) proposed recently, whose specific on-resistance for a given breakdown voltage is even lower than that of a Superjunction (SJ). It is shown how the SJ and the
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::917b9223859ffd5ec7d6a295b8451706
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.