Zobrazeno 1 - 10
of 276
pro vyhledávání: '"Negative conductance"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Materials Research, Vol 25 (2022)
Abstract Herein, the design and characterization of Ag/SeO2/C avalanche type resonant tunneling devices are reported. Thin pellets of SeO2 nano-powders pressed under hydraulic pressure of 1.0 MPa which is used as the active material are characterized
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/9c2781033cee4e918e9057030f649db4
Publikováno v:
IEEE Open Journal of Nanotechnology, Vol 1, Pp 18-24 (2020)
We demonstrate graphene-on-diamond field effect transistor (FET) actions modulated by optically excited charge state of nitrogen-vacancy (NV) centers in diamond. Palladium (Pd) metal contacts on graphene serve as the source and the drain. Negative ch
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/b66da2f0e8914aedabebd5ffde19e462
Autor:
Elena Yu. Smirnova, Andrey A. Anosov
Publikováno v:
Membranes, Vol 13, Iss 1, p 97 (2023)
Inelastic (dissipative) effects of different natures in lipid bilayer membranes can lead to hysteresis phenomena. Early, it was shown that lipid bilayer membranes, under the action of a periodic sinusoidal voltage, demonstrate pinched-hysteresis loop
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/f682699e34c24cc495f6f096fbfec7bf
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Iranian Journal of Physics Research, Vol 16, Iss 1, Pp 123-126 (2016)
Electronic transport has been investigated in four-quantum-dot combination coupled to metal electrodes using the non-equilibrium Green’s function method, and curves I-V and conductance (dI/dV) were analyzed for special combination. We have showed t
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/da56293a574e4ed6851cda610e26aec9
Autor:
Qasrawi, Atef Fayez, Khanfar, Hazem K.
Herein voltage and frequency controlled thin film transistors fabricated by depositing SeO2 onto germanium thin crystals are reported. For these devices measurements of the current-voltage characteristics revealed a biasing dependent rectification ra
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______9763::33f3605afd96d9ba60005770a657fead
https://hdl.handle.net/20.500.12713/3896
https://hdl.handle.net/20.500.12713/3896
Autor:
A. F. Qasrawi, Latifah Alfhaid
Publikováno v:
Optical and Quantum Electronics. 54
Herein, indium tin oxide (ITO) thin film substrates are employed to fabricate ITO/SeO2 multifunctional interfaces. The effects of ITO substrates on the physical properties of SeO2 thin films are explored by the structural, morphological, optical and
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::7929285e8e26c2ee0b68b4f0f71196ba
https://doi.org/10.1007/s11082-022-03760-2
https://doi.org/10.1007/s11082-022-03760-2
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.