Zobrazeno 1 - 10
of 4 398
pro vyhledávání: '"Near-Threshold"'
Autor:
姚茂群(YAO Maoqun), 邱思越(QIU Siyue)
Publikováno v:
Zhejiang Daxue xuebao. Lixue ban, Vol 51, Iss 5, Pp 554-561 (2024)
Based on conditional precharge technology, a design method of high speed and low power real phase clock trigger is presented. This method controls the redundant precharge activity of internal nodes by adding field effectors and control conditions to
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/f4ca24872085428aaf52f7f6c039e2e5
Autor:
S. Bottoni, G. Corbari, S. Leoni, B. Fornal, A. Goasduff, S. Capra, D. Mengoni, E. Albanese, S. Ziliani, G. Benzoni, A.M. Sánchez-Benítez, A. Bracco, D. Brugnara, F. Camera, M. Ciemała, N. Cieplicka-Oryńczak, F.C.L. Crespi, J.A. Dueñas, A. Gadea, F. Galtarossa, E. Gamba, A. Gottardo, A. Gozzelino, J. Ha, Ł.W. Iskra, T. Marchi, R. Menegazzo, B. Million, D.R. Napoli, G. Pasqualato, J. Pellumaj, R.M. Pérez-Vidal, S. Pigliapoco, M. Polettini, C. Porzio, F. Recchia, K. Rezynkina, J.J. Valiente-Dóbon, O. Wieland, I. Zanon, G. Zhang
Publikováno v:
Physics Letters B, Vol 855, Iss , Pp 138851- (2024)
The γ decay of the elusive narrow, near-threshold proton resonance in 11B was investigated at Laboratori Nazionali di Legnaro (INFN) in a particle-γ coincidence experiment, using the 6Li(6Li,pγ) fusion-evaporation reaction and the GALILEO-GALTRACE
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/67f93daac8cf4e5f9fa7da29979b0e7a
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 12, Pp 956-964 (2024)
Metal Oxide Thin Film Transistors (MO TFTs) have garnered considerable interest in emerging Internet of Things (IoT) fields such as wearable electronics, displays, Radio Frequency Identification (RFID), and biomedical monitoring, owing to their flexi
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/6de9b3402d204356bdda8ece0c4abf45
Autor:
Yang Wei Lim, Noor Ain Kamsani, Roslina Mohd Sidek, Shaiful Jahari Hashim, Fakhrul Zaman Rokhani
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 11, Pp 12536-12546 (2023)
In recent decades, near-threshold voltage (NTV) design has become a well-known technique for improving the energy efficiency of digital integrated circuits. However, scaling down the operating voltage to the NTV raises two major challenges for robust
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/42c45d80e3174ebfa249ea242fa2780b
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Hyeon-Seok Jeong, Wan-Soo Park, Hyeon-Bhin Jo, In-Geun Lee, Tae-Woo Kim, Takuya Tsutsumi, Hiroki Sugiyama, Hideaki Matsuzaki, Sung-Ho Hahm, Jae-Hak Lee, Dae-Hyun Kim
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 10, Pp 387-396 (2022)
This paper presents a physics-based analytical channel charge model for indium-rich InxGa1-xAs/In0.52Al0.48As quantum-well (QW) field-effect transistors (FETs) that is applicable from the subthreshold to strong inversion regimes. The model requires o
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/dc6ba75799cc45bea3393de3a8a5a735
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.