Zobrazeno 1 - 10
of 15
pro vyhledávání: '"Near infrared light emission"'
Autor:
Kenta Miura, Kosuke Omi
Publikováno v:
Results in Physics, Vol 57, Iss , Pp 107389- (2024)
We fabricated aluminum-doped tantalum-oxide (Ta2O5:Al) thin films using a simple co-sputtering method and observed broad near-infrared (NIR) light emission with wavelengths around 700 to 1000 nm from a sample annealed at 900 °C without rare-earth el
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/6491c6586f404e1cae908c8dc60d5814
Publikováno v:
Advanced Photonics Research, Vol 2, Iss 12, Pp n/a-n/a (2021)
Anisotropic layered GaTe has emerged as a potential material for polarization‐sensitive applications. The optical anisotropy in monoclinic GaTe is triggered by its in‐plane structural anisotropy, as each layer comprises periodic chain‐like stru
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/8bf424a0d7364afe89e212524910c1e7
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Advanced Photonics Research, Vol 2, Iss 12, Pp n/a-n/a (2021)
Anisotropic layered GaTe has emerged as a potential material for polarization‐sensitive applications. The optical anisotropy in monoclinic GaTe is triggered by its in‐plane structural anisotropy, as each layer comprises periodic chain‐like stru
Autor:
Jurriaan Schmitz, P.I. Kuindersma, L.-A. Ragnarsson, Nadine Collaert, Raymond J. E. Hueting, G. Piccolo
Publikováno v:
Proceeding ofthe 44th European Solid State Device Research Conference (ESSDERC), 274-277
STARTPAGE=274;ENDPAGE=277;TITLE=Proceeding ofthe 44th European Solid State Device Research Conference (ESSDERC)
ESSDERC
STARTPAGE=274;ENDPAGE=277;TITLE=Proceeding ofthe 44th European Solid State Device Research Conference (ESSDERC)
ESSDERC
We present what to our best knowledge is the first forward operating silicon light-emitting diode (LED) in fin-FET technology. The results show near-infrared (NIR) emission around 1100 nm caused by band-to-band light emission in the silicon which is
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::f8f865611c81b5dc6945f484e8839c33
https://research.utwente.nl/en/publications/d6a09966-2efa-4bf1-b45f-bd1e22c70163
https://research.utwente.nl/en/publications/d6a09966-2efa-4bf1-b45f-bd1e22c70163
Publikováno v:
FEBS Letters. 443:154-158
The putative role of singlet oxygen (1O2) in the respiratory burst of neutrophils has remained elusive due to the lack of reliable means to study its quantitative production. To measure 1O2 directly from biological or chemical reactions in the near i
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.