Zobrazeno 1 - 10
of 106
pro vyhledávání: '"Neal, Adam T."'
Autor:
Azizie, Kathy, Hensling, Felix V. E., Gorsak, Cameron A., Kim, Yunjo, Dryden, Daniel M., Senevirathna, M. K. Indika, Coye, Selena, Shang, Shun-Li, Steele, Jacob, Vogt, Patrick, Parker, Nicholas A., Birkhölzer, Yorick A., McCandless, Jonathan P., Jena, Debdeep, Xing, Huili G., Liu, Zi-Kui, Williams, Michael D., Green, Andrew J., Chabak, Kelson, Neal, Adam T., Mou, Shin, Thompson, Michael O., Nair, Hari P., Schlom, Darrell G.
We report the use of suboxide molecular-beam epitaxy (S-MBE) to grow $\beta$-Ga$_2$O$_3$ at a growth rate of ~1 ${\mu}$m/h with control of the silicon doping concentration from 5x10$^{16}$ to 10$^{19}$ cm$^{-3}$. In S-MBE, pre-oxidized gallium in the
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2212.12096
Autor:
Li, Jian V., Hendricks, Jessica, Charnas, Adam, Noesges, Brenton A., Neal, Adam T., Asel, Thaddeus J., Kim, Yunjo, Mou, Shin
Publikováno v:
In Thin Solid Films 30 January 2024 789
Publikováno v:
Appl. Phys. Lett. 115, 262103 (2019)
Through magneto-transport measurements and analysis of the observed Shubnikov de Haas oscillations in (010) (AlxGa1-x)2O3/Ga2O3 heterostructures, spin-splitting of the Landau levels in the (010) Ga2O3 two-dimensional electron gas (2DEG) has been stud
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2001.01807
Autor:
Neal, Adam T., Mou, Shin, Rafique, Subrina, Zhao, Hongping, Ahmadi, Elaheh, Speck, James S., Stevens, Kevin T., Blevins, John D., Thomson, Darren B., Moser, Neil, Chabak, Kelson D., Jessen, Gregg H.
Publikováno v:
Appl. Phys. Lett. 113, 062101 (2018)
We have studied the properties of Si, Ge shallow donors and Fe, Mg deep acceptors in $\beta$-Ga2O3 through temperature dependent van der Pauw and Hall effect measurements of samples grown by a variety of methods, including edge-defined film-fed (EFG)
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1809.01230
Autor:
Neal, Adam T., Mou, Shin, Lopez, Roberto, Li, Jian V., Thomson, Darren B., Chabak, Kelson D., Jessen, Gregg H.
Publikováno v:
Scientific Reports 7, 13218 (2017)
Understanding the origin of unintentional doping in Ga2O3 is key to increasing breakdown voltages of Ga2O3 based power devices. Therefore, transport and capacitance spectroscopy studies have been performed to better understand the origin of unintenti
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1706.09960
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
2D Materials, vol.3, 024003, 2016
We have conducted a comprehensive investigation into the magneto-transport properties of few-layer black phosphorus in terms of phase coherence length, phase coherence time, and mobility via weak localization measurement and Hall-effect measurement.
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1602.03608
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.