Zobrazeno 1 - 10
of 72
pro vyhledávání: '"Nassiopoulou AG"'
Publikováno v:
Nanoscale Research Letters, Vol 3, Iss 9, Pp 315-320 (2008)
AbstractWe have studied ultrafast carrier dynamics in oxidized silicon nanocrystals (NCs) and the role that surface-related states play in the various relaxation mechanisms over a broad range of photon excitation energy corresponding to energy levels
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/e82b2f6531b643b69d5a6114426808a5
Autor:
Hourdakis E, Nassiopoulou Ag
Publikováno v:
Journal of Nanoscience and Nanotechnology. 12:7968-7974
A two terminal write-once-read-many-times (WORM) memory device based on charge trapping near the interface of anodic aluminum oxide and p+Si is demonstrated. An investigation of the memory properties as a function of the interface morphology is prese
Autor:
Salonidou A, Nassiopoulou Ag
Publikováno v:
Journal of Nanoscience and Nanotechnology. 7:368-373
It was demonstrated in the literature that the use of self-aligned doubly-stacked Si dots improves retention characteristics of a nanocrystal memory. In this paper, we show that a similar effect may be obtained by using two distinct layers of silicon
Autor:
Tarkhanyan Rh, Nassiopoulou Ag
Publikováno v:
Journal of Nanoscience and Nanotechnology. 4:1085-1094
Electromagnetic instability criteria in semiconductor superlattices (SL) in the region of a negative differential conductivity (NDC) are studied in the presence of a static transverse field. The regimes with vertical constant electric field in a "sho
Autor:
Nassiopoulou Ag, Tarkhanyan Rh
Publikováno v:
Journal of Nanoscience and Nanotechnology. 3:549-554
It is shown that in semiconductor superlattices surface electromagnetic waves traveling in the direction parallel to the external static electric field may become unstable. This instability manifests itself in the emission of electromagnetic waves. T
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.