Zobrazeno 1 - 10
of 255
pro vyhledávání: '"Nassif, Sani"'
Publikováno v:
Dans Design, Automation and Test in Europe - DATE'05, Munich : Allemagne (2005)
Assessing IC manufacturing process fluctuations and their impacts on IC interconnect performance has become unavoidable for modern DSM designs. However, the construction of parametric interconnect models is often hampered by the rapid increase in com
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/0710.4654
Autor:
Osiecki, Thomas H., Tsai, Min-yu, Gattiker, Anne E., Jamsek, Damir A., Nassif, Sani R., Speight, W. Evan, Sze, Cliff C.N.
Publikováno v:
In Procedia Computer Science 2013 18:2241-2250
Autor:
Ramalingam, Anand, Singh, Ashish Kumar, Nassif, Sani R., Nam, Gi-Joon, Orshansky, Michael, Pan, David Z.
Publikováno v:
In Integration, the VLSI Journal September 2012 45(4):365-375
Publikováno v:
VLSI Design.
Device mismatch and process variation models play a key role in determining the functionality and yield of sub-100 nm design. Average characteristics are often of interest, such as the average leakage current or the average read delay. However, detec
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=hindawi_publ::3d140b979b3d81d5e91a0fe4a888496c
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.