Zobrazeno 1 - 10 of 44 pro vyhledávání: '"Nassibian, A. G."'
1
Akademický článek
Backscattering analysis of electron-beam-induced diffusion of tin in GaAs from dopant emulsions.
Autor: Meglicki, Zdzislaw, Cohen, David D., Nassibian, Armenag G.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 9/1/1987, Vol. 62 Issue 5, p1778, 4p
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
Backscattering analysis of AuGe-Ni ohmic contacts of n-GaAs.
Autor: Cohen, D. D., Kalkur, T. S., Sutherland, G. J., Nassibian, A. G.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 11/1/1986, Vol. 60 Issue 9, p3100, 5p, 1 Diagram, 7 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
Determination of aluminum-silicon dioxide and silicon-silicon dioxide barrier heights in a metal-tunnel insulator-silicon system.
Autor: Duong, A. K., Nassibian, A. G.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 2/15/1985, Vol. 57 Issue 4, p1256, 5p
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
C-V hysteresis in metal-oxide-semiconductor structures resulting from Pt doping of the gate oxide.
Autor: Golja, Bogdan, Nassibian, Armenag G.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Nov1984, Vol. 56 Issue 10, p3014-3017, 4p
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Comparison of Ar-, O-, and Cl-ion implant-damage gettering of gold from silicon using metal oxide silicon techniques.
Autor: Nassibian, A. G., Golja, B.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Sep1982, Vol. 53 Issue 9, p6168-6173, 6p
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Non-steady-state studies on MOS devices subject to a linear voltage ramp.
Autor: Nassibian, A. G., Faraone, L., Simmons, J. G.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Mar1979, Vol. 50 Issue 3, p1439-1444, 6p
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
Gold Si-SiO2 interface traps in MNOS with chemically oxidized <100> substrate.
Autor: Nassibian, A. G., Calligaro, R. B.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Apr1977, Vol. 48 Issue 4, p1631-1635, 5p
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
Generation lifetime investigation of ion-damage gettered silicon using MOS structure.
Autor: Nassibian, A. G., Browne, V. A., Perkins, K. D.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Mar1976, Vol. 47 Issue 3, p992-996, 5p
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
Field-effect mobilities of gold-doped MOS structures.
Autor: Sproul, M. E., Nassibian, A. G.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Mar1975, Vol. 46 Issue 3, p1255-1260, 6p
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
Characterization of deep-level defects in GaAs irradiated by 1 MeV electrons.
Autor: Lai, S. T., Nener, B. D., Faraone, L., Nassibian, A. G., Hotchkis, M. A. C.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 1/15/1993, Vol. 73 Issue 2, p640, 8p, 5 Charts, 5 Graphs
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje