Výsledky vyhledávání - "Narayanan, G. H."

Akademický článek

A study of the lattice imperfections in Li-diffused GaAs by transmission electron microscopy.

Autor: Norris, Brian, Narayanan, G. H.

Publikováno v: Journal of Applied Physics; Jul1977, Vol. 48 Issue 7, p2784-2794, 11p

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Growth of thick liquid-phase epitaxial GaAs : Si layers and their characterization.

Autor: Kachare, A. H., Spitzer, W. G., Whelan, J. M., Narayanan, G. H.

Publikováno v: Journal of Applied Physics; Nov1976, Vol. 47 Issue 11, p5022-5029, 8p

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Diffuse streaks in the electron diffraction patterns from CdTe single crystals.

Autor: Swaminathan, V., Narayanan, G. H., Copley, S. M.

Publikováno v: Journal of Applied Physics; Sep1975, Vol. 46 Issue 9, p3716-3719, 4p

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Free-carrier plasma effects in ion-implanted amorphous layers of silicon.

Autor: Spitzer, W. G., Waddell, C. N., Narayanan, G. H., Fredrickson, J. E., Prussin, S.

Publikováno v: Applied Physics Letters; Jun1977, Vol. 30 Issue 12, p623-626, 4p

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Comment on ''Evidence of a precipitatelike zone in as-grown GaAs and its influence on optical absorptivity''.

Autor: Swaminathan, V., Narayanan, G. H., Copley, S. M.

Publikováno v: Journal of Applied Physics; Aug1975, Vol. 46 Issue 8, p3687-3688, 2p

Zobrazit plný text záznamu

Periodical

An electron microscopy study of the metastable structures in splat-cooled erbium-zirconium alloys

Autor: Narayanan, G. H., Wang, R.

Publikováno v: Journal of Materials Science; September 1976, Vol. 11 Issue: 9 p1667-1679, 13p

Zobrazit plný text záznamu