Zobrazeno 1 - 10
of 150
pro vyhledávání: '"Narayanan, E.M.S."'
Autor:
Amano, H., Baines, Y., Borga, M., Bouchet, T., Chalker, P.R., Charles, M., Chen, K.J., Chowdhury, N., Chu, R., De Santi, C., De Souza, M.M., Decoutere, S., Di Cioccio, L., Eckardt, B., Egawa, T., Fay, P., Freedsman, J.J., Guido, L., Häberlen, O., Haynes, G., Heckel, T., Hemakumara, D., Houston, P., Hu, J., Hua, M., Huang, Q., Huang, A., Jiang, S., Kawai, H., Kinzer, D., Kuball, M., Kumar, A., Lee, K.B., Li, X., Marcon, D., März, M., McCarthy, R., Meneghesso, G., Meneghini, M., Morvan, E., Nakajima, A., Narayanan, E.M.S
Gallium nitride (GaN) is a compound semiconductor that has tremendous potential to facilitate economic growth in a semiconductor industry that is silicon-based and currently faced with diminishing returns of performance versus cost of investment. At
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=core_ac_uk__::7d60632cc8f97f053d83a097afdcaf68
https://eprints.whiterose.ac.uk/129453/1/Amano_2018_J._Phys._D%3A_Appl._Phys._51_163001.pdf
https://eprints.whiterose.ac.uk/129453/1/Amano_2018_J._Phys._D%3A_Appl._Phys._51_163001.pdf
Autor:
Sweet, M, Ngw, C.K, Spulber, O, Ngwendson, J.V.L, Vershinin, K.V, Bose, S.C, De Souza, M.M, Narayanan, E.M.S *
Publikováno v:
In Microelectronics Journal May-June 2001 32(5-6):527-536
Autor:
Krishnan, S, De Souza, M.M, Narayanan, E.M.S, Vellvehi, M, Roig, J, Flores, D *, Rebollo, J, Millan, J
Publikováno v:
In Microelectronics Journal May-June 2001 32(5-6):481-484
Autor:
Kawai, H., Yagi, S., Hirata, S., Nakamura, F., Saito, T., Kamiyama, M., Yamamoto, M., Amano, H., Unni, V., Narayanan, E.M.S.
A comprehensive overview of novel high voltage GaN field effect transistors (FETs) based on the Polarization Superjunction (PSJ) concept and a cost-effective approach towards manufacturing these high performance devices are presented. Current challen
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=core_ac_uk__::621888a7af8044ba9406aed905519e51
https://eprints.whiterose.ac.uk/114218/9/PSS_-Low_cost_High_Voltage_GaN_Polrisation_Superjunction_Transistors_final.pdf
https://eprints.whiterose.ac.uk/114218/9/PSS_-Low_cost_High_Voltage_GaN_Polrisation_Superjunction_Transistors_final.pdf
Publikováno v:
In Solid State Electronics 1999 43(10):1845-1853
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.