Zobrazeno 1 - 10
of 84
pro vyhledávání: '"Naranjo, F. B."'
Autor:
Sun, M., Blasco, R., de la Mata, M., Molina, S. I., Ajay, A., Monroy, E., Valdueza-Felip, S., Naranjo, F. B.
Here, we compare the material quality of AlxIn1-xN layers deposited on Si with different crystallographic orientations, (100) and (111), via radio-frequency (RF) sputtering. To modulate their Al content, the Al RF power was varied from 0 to 225 W, wh
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2112.12890
Publikováno v:
Current Applied Physics 20 (11), 1244 (2020)
Aluminum Indium Nitride (AlInN) alloys offer great potential for photovoltaic devices thanks to their wide direct bandgap energy that covers the solar spectrum from 0.7 eV (InN) to 6.2 eV (AlN), and their superior resistance to high temperatures and
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1911.08223
Publikováno v:
Materials Science in Semiconductor Processing, Volume 100, September 2019, Pages 8-14
High-quality Al0.37In0.63N layers have been grown by reactive radio-frequency (RF) sputtering on sapphire, glass and Si (111) at low substrate temperature (from room temperature to 300{\deg}C). Their structural, chemical and optical properties are in
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1909.12068
Autor:
Gómez, V. J., Grandal, J., Núñez-Cascajero, A., Naranjo, F. B., Varela, M., Sánchez-García, M. A., Calleja, E.
Publikováno v:
AIP Advances 8, 105026 (2018)
This work studies the effect of four different types of buffer layers on the structural and optical properties of InGaN layers grown on Si(111) substrates and their correlation with electrical characteristics. The vertical electrical conduction of n-
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1908.11175
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Valdueza-Felip, S., Núñez-Cascajero, A., Blasco, R., Montero, D., Grenet, L., de la Mata, M., Fernández, S., Marcos, L. Rodríguez-De, Molina, S. I., Olea, J., Naranjo, F. B.
We report the influence of the AlN interlayer thickness (0-15 nm) on the photovoltaic properties of Al0.37In0.63N on Si heterojunction solar cells deposited by radio frequency sputtering. The poor junction band alignment and the presence of a 2-3 nm
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1808.01117
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
High-quality Al0.37In0.63N layers have been grown by reactive radio-frequency (RF) sputtering on sapphire, glass and Si (111) at low substrate temperature (from room temperature to 300��C). Their structural, chemical and optical properties are in
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::494ef66c46d31eb934b20b81fac39095