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pro vyhledávání: '"Nanoelectrónica"'
Hoy en día se pueden construir chips que contienen en su interior miles de millones de componentes de dimensiones cercanas al nanómetro. Ello hace posible aplicaciones que hubieran sido consideradas ciencia ficción hace tan solo una década. La co
El proyecto de titulación está dirigido para el laboratorio de Física que próximamente incorporará instrumentos de nanotecnología con la finalidad de que la carrera de Ingeniería Electrónica trabaje en el campo de nanoelectrónica para que se
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______1737::aa3810f19b80d3154f9d1bea022a2b56
http://dspace.ups.edu.ec/handle/123456789/25055
http://dspace.ups.edu.ec/handle/123456789/25055
Publikováno v:
CONICET Digital (CONICET)
Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas
instacron:CONICET
Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas
instacron:CONICET
Si bien las nanopartículas metálicas han sido ampliamente explotadas por sus atractivas propiedades ópticas, su aplicación en circuitos nanoelectrónicos no ha sido del todo explorada. En este sentido es necesario el desarrollo de sistemas eléct
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::bd7e626e4096a0604a82a0c1b079e8de
La investigación en nanociencia hace posibles los avances que la electrónica necesita para seguir evolucionando. Entre los aportes más recientes se encuentra la creación de estructuras bidimensionales que permitan la formación de redes molecular
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______1413::6be7fda93b677c9fe280ffe0764b7a60
http://zaguan.unizar.es/record/125181
http://zaguan.unizar.es/record/125181
Autor:
Sánchez González, Saúl
Publikováno v:
Digital.CSIC. Repositorio Institucional del CSIC
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RUO. Repositorio Institucional de la Universidad de Oviedo
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RUO. Repositorio Institucional de la Universidad de Oviedo
We have explained how DFT underestimates the HOMO-LUMO gap and how we can correct it with the gas phase and also the screening correction. To understand the first one better we work with the Hubbard dimer and how the analytical gap calculation differ
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::416a9eeffd3a77fe84aaf207339c1f2d
http://hdl.handle.net/10261/247646
http://hdl.handle.net/10261/247646
Publikováno v:
SBCCI
SBCCI, Aug 2019, Sao Paolo, Brazil. pp.85-88, ⟨10.1145/3338852.3339871⟩
SBCCI, Aug 2019, Sao Paolo, Brazil. pp.85-88, ⟨10.1145/3338852.3339871⟩
International audience; The purpose of this work is to point out the main differences between a Static Random-Access Memory (SRAM) cells implemented by using Tunnel FET (TFET) and FinFET technologies. We have compared the behavior of SRAM cells imple
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::ef371119f9628af9869323ddd641550c
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02951701
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02951701
Publikováno v:
Zaguán. Repositorio Digital de la Universidad de Zaragoza
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A día de hoy, los dispositivos electrónicos son un elemento fundamental y su desarrollo se ha logrado gracias a la continua miniaturización de los mismos y su mayor eficiencia. Para continuar con esta miniaturización de los dispositivos, la elect
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::4bcdcfbdce77dc4bdecba359ae54d2b9
http://zaguan.unizar.es/record/87499
http://zaguan.unizar.es/record/87499
Autor:
Ibañez Fernandez, Idoia
Publikováno v:
Addi. Archivo Digital para la Docencia y la Investigación
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El trabajo tiene como objetivos mostrar el uso de las patentes como medio de difusión de conocimiento y encontrar las claves más significativas de la evolución de la tecnología escogida.
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::2261511275df7e8f57cd34a77c75fecc
http://hdl.handle.net/10810/15300
http://hdl.handle.net/10810/15300
Autor:
Santos, Hernán
Publikováno v:
Digital.CSIC. Repositorio Institucional del CSIC
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Tesis defendida el 9 de febrero de 2012 en la Facultad de Ciencias de la UNED y desarrollada en el Departamento de Teoría y Simulación de Materiales del Instituto de Ciencia de Materiales de Madrid, ICMM-CSIC y en el Departamento de Física Aplicad
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::3fbc6e2098ea11be26d98dc0f35240c0
http://hdl.handle.net/10261/46043
http://hdl.handle.net/10261/46043