Zobrazeno 1 - 10
of 56
pro vyhledávání: '"Namboodiri, Pradeep"'
Autor:
Namboodiri Pradeep, Wyrick Jonathan, Stan Gheorghe, Wang Xiqiao, Fei Fan, Kashid Ranjit Vilas, Schmucker Scott W., Kasica Richard, Barnes Bryan M., Stewart Jr Michael D., Silver Richard M.
Publikováno v:
Nanotechnology Reviews, Vol 13, Iss 1, Pp 242-6 (2024)
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/33bc7056a2974d1c99dccca4d57f09f5
Autor:
Wyrick, Jonathan, Wang, Xiqiao, Namboodiri, Pradeep, Kashid, Ranjit V., Fei, Fan, Fox, Joseph, Silver, Richard M.
Doping of Si using the scanning probe hydrogen depassivation lithography technique has been shown to enable placing and positioning small numbers of P atoms with nanometer accuracy. Several groups have now used this capability to build devices that e
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2112.12200
Autor:
Wang, Xiqiao, Khatami, Ehsan, Fei, Fan, Wyrick, Jonathan, Namboodiri, Pradeep, Kashid, Ranjit, Rigosi, Albert F., Bryant, Garnett, Silver, Richard
The Hubbard model is one of the primary models for understanding the essential many-body physics in condensed matter systems such as Mott insulators and cuprate high-Tc superconductors. Recent advances in atomically precise fabrication in silicon usi
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2110.08982
Autor:
Wang, Xiqiao, Wyrick, Jonathan, Kashid, Ranjit V., Namboodiri, Pradeep, Schmucker, Scott W., Murphy, Andrew, Stewart, Jr., M. D., Zimmerman, Neil, Silver, Richard M.
Atomically precise donor-based quantum devices are a promising candidate for scalable solid-state quantum computing. Atomically precise design and implementation of the tunnel coupling in these devices is essential to realize gate-tunable exchange co
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1905.00132
Autor:
Wang, Xiqiao, Hagmann, Joseph A., Namboodiri, Pradeep, Wyrick, Jonathan, Li, Kai, Murray, Roy E., Myers, Alline, Misenkosen, Frederick, Stewart, Jr., M. D., Richter, Curt A., Silver, Richard M.
Advanced hydrogen lithography techniques and low-temperature epitaxial overgrowth enable patterning of highly phosphorus-doped silicon (Si:P) monolayers (ML) with atomic precision. This approach to device fabrication has made Si:P monolayer systems a
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1711.03612
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Levy, Antonio, Namboodiri, Pradeep, Pomeroy, Joshua M., Wang, Xiqiao, Fox, Joseph, Silver, Richard M., Zimmerman, Neil M.
Publikováno v:
AIP Advances; Mar2024, Vol. 14 Issue 3, p1-9, 9p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.