Zobrazeno 1 - 10
of 35
pro vyhledávání: '"Nam, Seung‐Geol"'
Autor:
Lee, Yunseong, Kim, Un Jeong, Kim, Kihong, Yun, Dong-Jin, Choe, Duk-hyun, Yoo, Sijung, Lee, Hyun Jae, Nam, Seung-Geol, Jo, Sanghyun, Park, Yoonsang, Kim, Donghoon, Kim, Dongmin, Kim, Haeryong, Shin, Keunwook, Nahm, Sahn, Heo, Jinseong
Publikováno v:
In Materials Today Nano December 2024 28
Autor:
Kim, Youngwook, Yun, Hoyeol, Nam, Seung-Geol, Son, Minhyeok, Lee, Dong Su, Kim, Dong Chul, Seo, S., Choi, Hee Cheul, Lee, Hu-Jong, Lee, Sang Wook, Kim, Jun Sung
Coherent motion of the electrons in the Bloch states is one of the fundamental concepts of the charge conduction in solid state physics. In layered materials, however, such a condition often breaks down for the interlayer conduction, when the interla
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1206.3410
We fabricated graphene pnp devices, by embedding pre-defined local gates in an oxidized surface layer of a silicon substrate. With neither dielectric-material deposition nor electron-beam irradiation on the graphene, we obtained high-quality graphene
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1109.0117
Publikováno v:
Phys. Rev. B 82, 245416 (2010)
Thermoelectric power (TEP) is measured in bilayer graphene for various temperatures and charge-carrier densities. At low temperatures, measured TEP well follows the semiclassical Mott formula with a hyperbolic dispersion relation. TEP for a high carr
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1005.4739
By using four-terminal configurations, we investigated the dependence of longitudinal and diagonal resistances of a graphene p-n interface on the quantum-Hall edge-state equilibration position. The resistance of a p-n device in our four-terminal sche
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/0912.2791
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Park, Ju Yong, Choe, Duk‐Hyun, Lee, Dong Hyun, Yu, Geun Taek, Yang, Kun, Kim, Se Hyun, Park, Geun Hyeong, Nam, Seung‐Geol, Lee, Hyun Jae, Jo, Sanghyun, Kuh, Bong Jin, Ha, Daewon, Kim, Yongsung, Heo, Jinseong, Park, Min Hyuk
Publikováno v:
Advanced Materials; 10/26/2023, Vol. 35 Issue 43, p1-26, 26p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Choe, Duk-Hyun, Kim, Sunghyun, Moon, Taehwan, Jo, Sanghyun, Bae, Hagyoul, Nam, Seung-Geol, Lee, Yun Seong, Heo, Jinseong
Publikováno v:
In Materials Today November 2021 50:8-15