Zobrazeno 1 - 10
of 104
pro vyhledávání: '"Nakhmanson, S."'
With the rapid advance of high-performance computing and electronic technologies, understanding thermal conductivity in materials has become increasingly important. This study presents a novel method: the Site-projected Thermal Conductivity (SPTC) th
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2410.03332
Autor:
Park, J., Mangeri, J., Zhang, Q., Yusuf, M. H., Pateras, A., Dawber, M., Holt, M. V., Heinonen, O. G., Nakhmanson, S., Evans, P. G.
Publikováno v:
Nanoscale 10, 3262 (2018)
The ferroelectric domain pattern within lithographically defined PbTiO3/SrTiO3 ferroelectric/dielectric heteroepitaxial superlattice nanostructures is strongly influenced by the edges of the structures. Synchrotron x-ray nanobeam diffraction reveals
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2002.11073
Autor:
Tikhonov, Yu., Kondovych, S., Mangeri, J., Pavlenko, M., Baudry, L., Sené, A., Galda, A., Nakhmanson, S., Heinonen, O., Razumnaya, A., Luk'yanchuk, I., Vinokur, V. M.
Chirality, an intrinsic handedness, is one of the most intriguing fundamental phenomena in nature. Materials composed of chiral molecules find broad applications in areas ranging from nonlinear optics and spintronics to biology and pharmaceuticals. H
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2001.01790
Publikováno v:
Phys. Rev. B 67, 235406 (2003)
Ab initio calculations of the spontaneous polarization and piezoelectric properties of boron nitride nanotubes show that they are excellent piezoelectric systems with response values larger than those of piezoelectric polymers. The intrinsic chiral s
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/0305329
Publikováno v:
Phys. Rev. B 67, 224302 (2003)
The anharmonic decay rates of atomic vibrations in amorphous silicon (a-Si) and paracrystalline silicon (p-Si), containing small crystalline grains embedded in a disordered matrix, are calculated using realistic structural models. The models are 1000
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/0301242
Autor:
Nakhmanson, S. M., Drabold, D. A.
Using empirical potential molecular dynamics we compute dynamical matrix eigenvalues and eigenvectors for a 4096 atom model of amorphous silicon and a set of models with voids of different size based on it. This information is then employed to study
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/9911246
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Tenne, D. A., Bruchhausen, A., Lanzillotti-Kimura, N. D., Fainstein, A., Katiyar, R. S., Cantarero, A., Soukiassian, A., Vaithyanathan, V., Haeni, J. H., Tian, W., Schlom, D. G., Choi, K. J., Kim, D. M., Eom, C. B., Sun, H. P., Pan, X. Q., Li, Y. L., Chen, L. Q., Jia, Q. X., Nakhmanson, S. M., Rabe, K. M., Xi, X. X.
Publikováno v:
Science, 2006 Sep . 313(5793), 1614-1616.
Externí odkaz:
https://www.jstor.org/stable/20031308
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.