Zobrazeno 1 - 10 of 36 pro vyhledávání: '"Naiman, M. L."'
1
Akademický článek
An x-ray photoelectron spectroscopy study of the thermal nitridation of SiO2/Si.
Autor: Vasquez, R. P., Madhukar, A., Grunthaner, F. J., Naiman, M. L.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 7/1/1986, Vol. 60 Issue 1, p226, 8p, 1 Chart, 8 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
Distribution of nitrogen and defects in SiOxNy/Si structures formed by the thermal nitridation of SiO2/Si.
Autor: Vasquez, R. P., Madhukar, A., Grunthaner, F. J., Naiman, M. L.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 2/1/1986, Vol. 59 Issue 3, p972, 4p, 2 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
The constitution of nitrided oxides and reoxidized nitrided oxides on silicon.
Autor: Naiman, M. L., Kirk, C. T., Emerson, B. L., Taitel, J. B., Senturia, Stephen D.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 7/15/1985, Vol. 58 Issue 2, p779, 14p, 2 Diagrams, 6 Charts, 7 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
High-field electron capture and emission in nitrided oxides.
Autor: Terry, F. L., Wyatt, P. W., Naiman, M. L., Mathur, B. P., Kirk, C. T., Senturia, S. D.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 3/15/1985, Vol. 57 Issue 6, p2036, 4p, 1 Chart, 5 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Study of the kinetics and mechanism of the thermal nitridation of SiO2.
Autor: Vasquez, R. P., Madhukar, A., Grunthaner, F. J., Naiman, M. L.
Publikováno v: Applied Physics Letters; 2/15/1985, Vol. 46 Issue 4, p361, 3p
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
X-ray photoelectron spectroscopy study of the chemical structure of thermally nitrided SiO2.
Autor: Vasquez, R. P., Hecht, M. H., Grunthaner, F. J., Naiman, M. L.
Publikováno v: Applied Physics Letters; 1984, Vol. 44 Issue 10, p969-971, 3p
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
Megarad-Resistant 10nm Gate Dielectrics.
Autor: Terry, F. L., Naiman, M. L., Aucoin, R. J., Senturia, S. D.
Publikováno v: IEEE Transactions on Nuclear Science; 1981, Vol. 28 Issue 6, p4389-4391, 3p
Zobrazit plný text záznamu
9
Conference
Process Dependence of Hole Trapping in Nitrided SiO2 Films.
Autor: Severi, M., Impronta, M., Dori, L., Guerri, S.
Publikováno v: ESSDERC '88: 18th European Solid State Device Research Conference; 1988, pc4-c420, 831p
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
Improvement of the radiation hardness of SIMOX buried layers using nitrogen implantation.
Autor: Zhong-Shan Zheng, Zhong-Li Liu, Guo-Qiang Zhang, Ning Li, Guo-Hua Li, Hong-Zhi Ma, En-Xia Zhang, Zheng-Xuan Zhang and Xi Wang
Publikováno v: Semiconductor Science & Technology; Jun2005, Vol. 20 Issue 6, p481-484, 4p
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje