Zobrazeno 1 - 10
of 59
pro vyhledávání: '"Nagalyuk, S. S."'
Autor:
Murzakhanov, F. F., Sadovnikova, M. A., Mamin, G. V., Nagalyuk, S. S., von Bardeleben, H. J., Schmidt, W. G., Biktagirov, T., Gerstmann, U., Soltamov, V. A.
The nitrogen-vacancy (NV) centers (NCVSi) - in 4H silicon carbide (SiC) constitute an ensemble of spin S = 1 solid state qubits interacting with the surrounding 14N and 29Si nuclei. As quantum applications based on a polarization transfer from the el
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2404.06933
Autor:
Breev, I. D., Shang, Z., Poshakinskiy, A. V., Singh, H., Berencén, Y., Hollenbach, M., Nagalyuk, S. S., Mokhov, E. N., Babunts, R. A., Baranov, P. G., Suter, D., Tarasenko, S. A., Astakhov, G. V., Anisimov, A. N.
Optically controllable solid-state spin qubits are one of the basic building blocks for applied quantum technology. Efficient extraction of emitted photons and a robust spin-photon interface are crucial for the realization of quantum sensing protocol
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2107.06989
Autor:
Breev, I. D., Poshakinskiy, A. V., Yakovleva, V. V., Nagalyuk, S. S., Mokhov, E. N., Hübner, R., Astakhov, G. V., Baranov, P. G., Anisimov, A. N.
Publikováno v:
Appl. Phys. Lett. 118, 084003 (2021)
We report the influence of static mechanical deformation on the zero-field splitting of silicon vacancies in silicon carbide at room temperature. We use AlN/6H-SiC heterostructures deformed by growth conditions and monitor the stress distribution as
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2012.07588
Autor:
Murzakhanov, F. F., Sadovnikova, M. A., Mamin, G. V., Nagalyuk, S. S., von Bardeleben, H. J., Schmidt, W. G., Biktagirov, T., Gerstmann, U., Soltamov, V. A.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 9/28/2023, Vol. 134 Issue 12, p1-8, 8p
Autor:
Kazarova, O. P.1 (AUTHOR), Nagalyuk, S. S.1 (AUTHOR) snagalyuk@gmail.com, Soltamov, V. A.1 (AUTHOR), Muzafarova, M. V.1 (AUTHOR), Mokhov, E. N.1 (AUTHOR)
Publikováno v:
Semiconductors. Sep2023, Vol. 57 Issue 9, p401-404. 4p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Nagalyuk, S. S.1 (AUTHOR) snagalyuk@gmail.com, Mokhov, E. N.1 (AUTHOR), Kazarova, O. P.1 (AUTHOR), Ber, B. Y.1 (AUTHOR), Anisimov, A. A.1 (AUTHOR), Breev, I. D.1 (AUTHOR)
Publikováno v:
Semiconductors. Jun2021, Vol. 55 Issue 6, p546-550. 5p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.