Zobrazeno 1 - 10
of 8 291
pro vyhledávání: '"NMOS logic"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Reddy, M. Devendra1 moolintidevendrareddy17@saveetha.com, Dass, P.2 dass@saveetha.com
Publikováno v:
Alinteri Journal of Agriculture Sciences. 2021, Vol. 36 Issue 1, p635-641. 7p.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
M. Devendra Reddy, P. Dass
Publikováno v:
Alinteri Journal of Agriculture Sciences. 36:635-641
Aim: The aim of this work is to construct an innovative pMos logic based comparator and analyze the power consumption and compare with the nMos logic based comparator. Material and methods: The comparator is designed by using the Tanner tool version
Publikováno v:
2020 IEEE International Conference on Integrated Circuits, Technologies and Applications (ICTA).
In this paper, the 2-input/3-input XORs and majority gate based on ITO TFT are presented. The proposed circuits have a new pseudo-NMOS design style with a controllable pull-up device, whose advantages include a high noise margin and a high switching
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Hahn, Samantha
NMOS logic gates were a predecessor to the CMOS logic gates widely used today. They allow for easier process steps and take into account the limited equipment that is available in the ODU clean room. In this thesis, NMOS logic gates were studied in o
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::92ad34d0f5004690fdfe078d351c99e8
Autor:
Yasir Hashim
Publikováno v:
Journal of Nanoscience and Nanotechnology. 16:5923-5928
This study is the first to demonstrate characteristics optimization of nanowire N-Channel Metal Oxide Semiconductor (NW-MOS) logic inverter. Noise margins and inflection voltage of transfer characteristics are used as limiting factors in this optimiz
Publikováno v:
ECS Transactions. 75:261-268
Enhancement/Depletion (E/D) inverter, as one kind of NMOS inverters, is a promising supplementary technology for complementary logic circuits. Two n-channel bottom-gate amorphous indium-gallium-zinc-oxide (IGZO) TFTs with different threshold voltage