Zobrazeno 1 - 10
of 8 392
pro vyhledávání: '"NMOS"'
Autor:
N.R. Sivaraaj, K.K. Abdul Majeed
Publikováno v:
Results in Engineering, Vol 25, Iss , Pp 103718- (2025)
The NMOS cross-coupled LC Voltage-Controlled Oscillator (LCVCO) is considered an indispensable element in modern wireless communication systems. This research explores the design and implementation of a cross-coupled NMOS LCVCO using the UMC 65 nm CM
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/0ec63d4124e3421d8add1fef7040e789
Autor:
Shweta Dabas, Manoj Kumar
Publikováno v:
SN Applied Sciences, Vol 5, Iss 11, Pp 1-14 (2023)
Abstract This paper reports two distinct architectures for digitally-controlled oscillators (DCOs) utilizing MOS varactor, designed in TSMC 180 nm CMOS technology. The first DCO design employs a CMOS inverter, while the second design features a Three
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/a8105a6c47c14b439b2032c9ccd136e4
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Fully Printed High-Performance n-Type Metal Oxide Thin-Film Transistors Utilizing Coffee-Ring Effect
Autor:
Kun Liang, Dingwei Li, Huihui Ren, Momo Zhao, Hong Wang, Mengfan Ding, Guangwei Xu, Xiaolong Zhao, Shibing Long, Siyuan Zhu, Pei Sheng, Wenbin Li, Xiao Lin, Bowen Zhu
Publikováno v:
Nano-Micro Letters, Vol 13, Iss 1, Pp 1-11 (2021)
Abstract Metal oxide thin-films transistors (TFTs) produced from solution-based printing techniques can lead to large-area electronics with low cost. However, the performance of current printed devices is inferior to those from vacuum-based methods d
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/6c224d517935484b8e66c94772ae530a
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 9, Pp 54466-54477 (2021)
The synthesis method of logic circuits based on the RRAM (Resistive Random Access Memory) devices is of great concern in recent years. Inspired by the CMOS-like RRAM based logic gates, this work proposes a NMOS-like RRAM gate family. The advantages o
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/7c8df042dd8a41b5b93d6494a7a2e9aa
Autor:
Pei-An Zou, Jun-Wei Chen, Kai Xiang, Lei Zhou, Jian-Hua Zou, Miao Xu, Lei Wang, Wei-Jing Wu, Jun-Biao Peng, Mansun Chan
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 9, Pp 722-727 (2021)
A modified NMOS inverter employing output feedback theme has been proposed in this paper. The feedback structure can guarantee high voltage output at a wider range of low voltage input. The proposed inverter and the conventional pseudo-CMOS inverter
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/d4a688f8baf14635a62f028193da097d
Autor:
Shraddha Pali, Ankur Gupta
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 9, Pp 155370-155379 (2021)
The drift region of conventional drain extended NMOS (DeNMOS_C) is engineered to reduce gate charge for high performance and to enhance avalanche ruggedness for reliability in switching applications. Reduced-surface-field (RESURF) techniques, includi
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/505780d9a5e64348bde0b9337d325815