Zobrazeno 1 - 10 of 41 pro vyhledávání: '"NISSIM, Y. I."'
2
Akademický článek
Stabilization and removal of the native oxides at the surface of (100)InP by low-pressure exposure to NH3.
Autor: Moison, J. M., Nissim, Y. I., Licoppe, C.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 10/15/1989, Vol. 66 Issue 8, p3824, 7p, 7 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
Impurity-induced enhancement of the growth rate of amorphized silicon during solid-phase epitaxy: A free-carrier effect.
Autor: Licoppe, C., Nissim, Y. I.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 1/15/1986, Vol. 59 Issue 2, p432, 7p, 1 Diagram, 2 Charts, 3 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
Temperature distributions produced in semiconductors by a scanning elliptical or circular cw laser beam.
Autor: Nissim, Y. I., Lietoila, A., Gold, R. B., Gibbons, J. F.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Jan1980, Vol. 51 Issue 1, p274-279, 6p
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Stress cancellation in silicon oxynitride/InP structures obtained by rapid thermal chemical vapor deposition.
Autor: Lebland, F., Licoppe, C., Nissim, Y. I.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 10/1/1992, Vol. 72 Issue 7, p2802, 4p, 1 Diagram, 4 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
cw laser processing of semiconductor surfaces.
Autor: Moison, J. M., Licoppe, C., Nissim, Y. I., Houzay, F.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 4/1/1986, Vol. 59 Issue 7, p2444, 3p, 1 Black and White Photograph, 2 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
Direct measurement of solid-phase epitaxial growth kinetics in GaAs by time-resolved reflectivity.
Autor: Licoppe, C., Nissim, Y. I., Meriadec, C.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 10/15/1985, Vol. 58 Issue 8, p3094, 3p, 2 Black and White Photographs, 2 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
cw laser assisted diffusion and activation of tin in GaAs from a SnO2/SiO2 source.
Autor: Nissim, Y. I., Gibbons, J. F., Magee, T. J., Ormond, R.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Jan1981, Vol. 52 Issue 1, p227-229, 3p
Zobrazit plný text záznamu
9
Conference
Low Energy, High Density Plasma (ICP) for Low Defect Etching and Deposition Applications on Compound Semiconductors.
Autor: Etrillard, J., Maher, H., Medjdoub, M., Courant, J. L., Nissim, Y. I.
Publikováno v: MRS Online Proceedings Library; 1999, Vol. 573 Issue 1, p189-201, 13p
Zobrazit plný text záznamu
10
Conference
High Temperature LPCVD of Dielectrics on III-V Substrates for Device Appliclations.
Autor: Nissim, Y. I., Moison, J.M., Licoppe, C., Post, G.
Publikováno v: ESSDERC '89: 19th European Solid State Device Research Conference; 1989, p173-176, 4p
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje