Výsledky vyhledávání - "NEUTRON transmutation doping of semiconductors"

Elektronická kniha

Neutron Transmutation Doping in Semiconductors

Autor: J. Meese

This volume contains the invited and contributed papers presented at the Second International Conference on Neutron Transmutation Doping in Semiconductors held April 23-26, 1978 at the University of Missouri-Columbia. The first'testing of the waters'

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Optimization study to determine the appropriate location for the implementation of silicon doping in Tehran research reactor.

Autor: Heydari, Mostafa, Jafari, Hamid, Gholamzadeh, Zohreh

Publikováno v: Radiation Physics & Engineering; Oct2023, Vol. 4 Issue 4, p7-14, 8p

Zobrazit plný text záznamu

Conference

Extracting information from partially depleted Si detectors with digital sampling electronics.

Autor: PASTORE, G.^1,2, PASQUALI, G.^1,2, LE NEINDRE, N.³, ADEMARD, G.⁴, BARLINI, S.^1,2, BINI, M.^1,2, BONNET, E.⁵, BORDERIE, B.⁴, BOUGAULT, R.³, CASINI, G.², CHBIHI, A.⁵, CINAUSERO, M.⁶, DUEÑAS, J. A.⁷, EDELBRUCK, P.⁴, FRANKLAND, J. D.⁵, GRAMEGNA, F.⁶, GRUYER, D.⁵, KORDYASZ, A.⁸, KOZIK, T.⁹, LOPEZ, O.³

Publikováno v: EPJ Web of Conferences. 2015, Vol. 88, p01013-p.1-01013-p.4. 4p.

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Akademický článek

Thermal conductivity changes upon neutron transmutation of 10B doped diamond.

Autor: Jagannadham, K.¹ jag_kasichainula@ncsu.edu, Verghese, K.², Butler, J. E.³

Publikováno v: Journal of Applied Physics. 2014, Vol. 116 Issue 8, p083706-1-083706-7. 7p. 1 Diagram, 2 Charts, 5 Graphs.

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Specific features of transmutational doping of ³⁰Si-enriched silicon crystals with phosphorus: Studies by the method of electron spin resonance.

Autor: Baranov, P. G.¹, Ber, B. Ya.¹, Godisov, O. N.², Il'in, I. V.¹ Ivan.ilyin@mail.ioffe.ru, Ionov, A. N.¹, Kaliteevskiĭ, A. K.², Kaliteevskiĭ, M. A.¹, Lazebnik, I. M.³, Safronov, A. Yu.², Pohl, H.-J.⁴, Riemann, H.⁵, Abrosimov, N. V.⁵, Kop'ev, P. S.¹, Bulanov, A. D.⁶, Gusev, A. V.⁶

Publikováno v: Semiconductors. Aug2006, Vol. 40 Issue 8, p901-910. 10p. 6 Graphs.

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Neutron transmutation doping of silicon ³⁰Si monoisotope with phosphorus.

Autor: Ionov, A. N.^1,2,3,4,5,6 ionov@tuch.ioffe.rssi.ru, Baranov, P. G.^1,2,3,4,5,6, Ber, B. Ya.^1,2,3,4,5,6, Bulanov, A. D.^1,2,3,4,5,6, Godisov, O. N.^1,2,3,4,5,6, Gusev, A. V.^1,2,3,4,5,6, Davydov, V. Yu.^1,2,3,4,5,6, Il'in, I. V.^1,2,3,4,5,6, Kaliteevskiĭ, A. K.^1,2,3,4,5,6, Kaliteevskiĭ, M. A.^1,2,3,4,5,6, Safronov, A. Yu.^1,2,3,4,5,6, Lazebnik, I. M.^1,2,3,4,5,6, Pohl, H.-J.^1,2,3,4,5,6, Riemann, H.^1,2,3,4,5,6, Abrosimov, N. V.^1,2,3,4,5,6, Kop'ev, P. S.^1,2,3,4,5,6

Publikováno v: Technical Physics Letters. Jun2006, Vol. 32 Issue 6, p550-553. 4p. 3 Graphs.

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Electrical Properties of Transmutation-Doped Indium Phosphide.

Autor: Kolin, N. G., Merkurisov, D. I., Solov’ev, S. P.

Publikováno v: Semiconductors. Feb2000, Vol. 34 Issue 2, p150. 5p.

Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání