Zobrazeno 1 - 5
of 5
pro vyhledávání: '"NC field-effect transistor (NCFET)"'
Publikováno v:
IEEE Journal on Exploratory Solid-State Computational Devices and Circuits, Vol 3, Pp 56-64 (2017)
Physical phenomena, underlying operation of negative capacitance field-effect transistors (NCFETs), are treated within a unified simulation framework. The framework incorporates the Landau mean-field treatment of free energy of a ferroelectric (FE) a
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/6e0942d88ac84718b236e575a64e7ea7
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Journal on Exploratory Solid-State Computational Devices and Circuits, Vol 3, Pp 56-64 (2017)
Physical phenomena underlying operation of ferroelectric field-effect transistors (FeFETs) is treated within a unified simulation framework. The framework incorporates the Landau mean-field treatment of free energy of a ferroelectric and the polariza
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.