Zobrazeno 1 - 10
of 91
pro vyhledávání: '"N.V. Gelfond"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
I.P. Dolgovesova, N.V. Gelfond, T. M. Levashova, V. V. Bakovets, V.T. Ratushnjak, V.N. Mitkin, V.G. Martynets
Publikováno v:
Le Journal de Physique IV. 11:Pr3-561
Mechanism and kinetics of Ni, Cu and Y 2 O 3 thin film deposition are considered. It is shown that the decomposition temperature of chelate compounds decreases in hydrogen atmosphere. The film deposition temperature decreasing is defined by catalytic
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Thin Solid Films. 227:144-152
The iridium films were prepared by metal-organic chemical vapour deposition (MOCVD) via the pyrolysis of iridium tris(acetylacetonate) on glass and quartz surfaces at atmospheric pressure with hydrogen as an additive in the deposition temperature ran
Autor:
R.I. Kwon, I.K. Igumenov, N.V. Gelfond, M. Yu. Smirnov, Valerii I. Bukhtiyarov, Igor P. Prosvirin, Andrei I. Boronin
Publikováno v:
Surface Science. 275:323-331
Iridium films were deposited on flat quartz substrates by MO CVD from iridium tris-acetilacetonate; these processes were performed at atmospheric pressure in the presence of hydrogen, and substrate temperatures were varied in the range 350–550°C.