Zobrazeno 1 - 4
of 4
pro vyhledávání: '"N.T. Shih"'
Autor:
T.C. Wang, J.T. Yeh, Y.C. Chen, S.H. Chiou, C. Huang, M.J. Kao, W.H. Wang, M.J. Chen, T.H. Yu, L.L. Chein, M.Y. Liu, N.T. Shih, D.S. Chao, M.-J. Tsai, F. Chen, D. Huang, T.C. Hsiao, L.S. Tu, C. Lee, C.W. Chen, R. Yen, W.S. Chen
Publikováno v:
2007 IEEE International Electron Devices Meeting.
A cross-spacer phase change memory (PCM) cell with ultra-small lithography-independent contact area for reduced writing current has been successfully demonstrated. By crossing the spacer sidewalls of phase change and heater material, a small contact
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::052e650f72600d5c52c9fa7be6af9a77
https://doi.org/10.1109/iedm.2007.4418935
https://doi.org/10.1109/iedm.2007.4418935
Publikováno v:
MRS Proceedings. 146
The results of a detailed investigation of diffusion of ion implanted As in Si during Rapid Thermal Annealing are reported. A series of experiments has been performed on samples prepared for various thermal treatments, such as peroxidation and prehea
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::af0ac55d76acf3e0fa720e0547e25be3
https://doi.org/10.1557/proc-146-371
https://doi.org/10.1557/proc-146-371
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.