Zobrazeno 1 - 10
of 221
pro vyhledávání: '"N.T. Bagraev"'
Autor:
D.V. Savchenko, E.N. Kalabukhova, B.D. Shanina, N.T. Bagraev, L.E. Klyachkin, A.M. Malyarenko, V.S. Khromov
Publikováno v:
Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, Vol 21, Iss 3, Pp 249-255 (2018)
We present the experimental and theoretical results of analysis of the optically- induced cyclotron resonance measurements carried out using the charge carriers in silicon (Si) nanostructures at 9 GHz and 4 K. Effective mass values for electrons were
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/df7fc51c4f194e9eae4a7f3adffde891
Autor:
null N.T. Bagraev, null V.V. Romanov, null A.M. Malyarenko, null L.E. Klyachkin, null M.A. Fomin
Publikováno v:
Technical Physics. 92:798
Measurements of the field dependences of the static magnetic susceptibility demonstrate de Haas-Van Alphen and Aharonov-Bohm oscillations at high temperatures and low magnetic fields in silicon nanosandwich structures (SNS). In the case of the deposi
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::9f1c84fdd23ee047af0bd9ac0f12aa01
https://doi.org/10.21883/tp.2022.07.54474.5-22
https://doi.org/10.21883/tp.2022.07.54474.5-22
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
N.T. Bagraev, V.S. Khromov, L.E. Klyachkin, A.M. Malyarenko, V.A. Mashkov, V.V. Romanov, N.I. Rul
The negative-U impurity stripes confining the edge channels of semiconductor quantum wells are shown to allow the effective cooling inside in the process of the spin-dependent transport, with the reduction of the electron-electron interaction. The af
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::d685e70dbb6dc2dc01b8ef3225b3a027
Autor:
N.T. Bagraev
Publikováno v:
Proceedings of Peter the Great St. Petersburg Polytechnic University. :172-193
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::002015949018017f74d3427397b59761
https://doi.org/10.5862/proc.516.12
https://doi.org/10.5862/proc.516.12
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.