Zobrazeno 1 - 10
of 210
pro vyhledávání: '"N.H. Duc"'
Publikováno v:
Journal of Science: Advanced Materials and Devices, Vol 4, Iss 2, Pp 327-332 (2019)
Anisotropic magnetoresistive (AMR) sensors have long been used for specific industrial applications. Their field detection sensitivity can be improved using magnetic flux concentrators to amplify the magnetic field strength sensed at the sensor. We r
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/618ecc3d7fa742ad84ffdb2d7327031a
Autor:
V. Kalappattil, R. Geng, S.H. Liang, D. Mukherjee, J. Devkota, A. Roy, M.H. Luong, N.D. Lai, L.A. Hornak, T.D. Nguyen, W.B. Zhao, X.G. Li, N.H. Duc, R. Das, S. Chandra, H. Srikanth, M.H. Phan
Publikováno v:
Journal of Science: Advanced Materials and Devices, Vol 2, Iss 3, Pp 378-384 (2017)
Magnetic anisotropy plays an important role in determining the magnetic functionality of thin film based electronic devices. We present here, the first systematic study of the correlation between magnetoresistance (MR) response in organic spin valves
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/681f17cb8f284afea6a134c4f59c7e98
Publikováno v:
Journal of Science: Advanced Materials and Devices, Vol 1, Iss 2, Pp 214-219 (2016)
String based MEMS devices recently attract world technology development thanks to their advantages over cantilever ones. Approaching to this direction, the paper reports on the micro-fabrication and characterization of free-standing doubly clamped pi
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/cd5cc660789743f49d514a1b47843bb9
Publikováno v:
Journal of Science: Advanced Materials and Devices, Vol 1, Iss 1, Pp 98-102 (2016)
Wheatstone bridges incorporating a serially connected ensemble of simple AMR elements of Ni80Fe20 film were produced, targeting an application of a pinned magnetic field along the sensing magnetoresistor length. For the optimal dimension, the magneto
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/8a06c18f389b4946b8e1163255e4934e
Publikováno v:
Journal of Science: Advanced Materials and Devices, Vol 1, Iss 1, Pp 75-79 (2016)
In a ferroelectric-gate thin film transistor memory (FGT) type structure, the gate-insulator layer is extremely important for inducing the charge when accumulating or depleting. We concentrated on the application of low-temperature PZT films crystall
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/b06730fdd1914f1aa41a81f3334fdf19
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
P.K. Anh, Nguyen Huy Dan, Le Viet Bau, Nguyen Manh An, The-Long Phan, Tran Dang Thanh, Ngac An Bang, Pham Thi Thanh, Nguyen Hai Yen, N.H. Duc, N.T. Mai, Seong-Cho Yu, D.T.K. Anh
Publikováno v:
Journal of Magnetism and Magnetic Materials. 374:372-375
Magnetic and magnetocaloric properties in Ni50Mn50−xSnx alloys with wide range of the Sn-concentration (x=0–40) were investigated. The alloys were prepared by arc-melting and subsequently annealing at 850 °C for 4 h. The X-ray diffraction analys
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f338433c867be73dc5ae64fe25395358
https://doi.org/10.1016/j.jmmm.2014.08.061
https://doi.org/10.1016/j.jmmm.2014.08.061