Zobrazeno 1 - 10
of 57
pro vyhledávání: '"N.F. Haddad"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
D.R. Ball, R.D. Schrimpf, N.F. Haddad, K.M. Warren, R.A. Weller, R.A. Reed, A. Kobayashi, J.A. Pellish, M.H. Mendenhall, C.L. Howe, L.W. Massengill
Publikováno v:
2005 8th European Conference on Radiation and Its Effects on Components and Systems.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::2f8d930e9e357e949e65be8e9e90b1f7
https://doi.org/10.1109/radecs.2005.4365566
https://doi.org/10.1109/radecs.2005.4365566
Publikováno v:
IEEE International SOI Conference.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e4719a4b7bf8c602b4470c9e1c5a9d6b
https://doi.org/10.1109/soi.1992.664808
https://doi.org/10.1109/soi.1992.664808
Publikováno v:
IEEE International SOI Conference.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b5b126b78fab7f9d345ae501bb16d90c
https://doi.org/10.1109/soi.1992.664809
https://doi.org/10.1109/soi.1992.664809
Publikováno v:
1999 Fifth European Conference on Radiation and Its Effects on Components and Systems. RADECS 99 (Cat. No.99TH8471).
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::02e61b399e8e9b5f2b8e8a70f1eaeb37
https://doi.org/10.1109/radecs.1999.858580
https://doi.org/10.1109/radecs.1999.858580
Autor:
N.F. Haddad, Frederick T. Brady
Publikováno v:
Proceedings of 1993 IEEE International SOI Conference.
Performance advantages of SOI technology have been widely published. However, a critical step in the maturation of any technology is progressing from demonstrating best case performance advantages to demonstrating repeatable performance. For a techno
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::0ab8242cdc49811cd794eca826a925db
https://doi.org/10.1109/soi.1993.344564
https://doi.org/10.1109/soi.1993.344564
Publikováno v:
1991 IEEE International SOI Conference Proceedings.
The authors report on process modeling used FEDSS (Finite Element Diffusion Simulation System) together with device modeling using FIELDAY (FInite ELement Device AnalYsis) to analyze fully depleted thin film SOI (silicon-on-insulator) processes/devic
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::37607c8217a2a4151866586c77fb714d
https://doi.org/10.1109/soi.1991.162867
https://doi.org/10.1109/soi.1991.162867
Kniha
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
31st Annual Proceedings Reliability Physics 1993.
The effect of iron contamination in silicon on the properties of thermally grown thin oxides is studied through electrical modeling and experimental MOSDOT testing. Iron concentration is measured using a surface photovoltage diffusion length measurem
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::2f2caec1b3a002f3d01e4ec0418d0953
https://doi.org/10.1109/relphy.1993.283308
https://doi.org/10.1109/relphy.1993.283308
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.