Zobrazeno 1 - 10
of 130
pro vyhledávání: '"N.D. Theodore"'
Autor:
Cait Ni Chleirigh, A. Domenicucci, N.D. Theodore, H.-U. Ehrke, H. Fukuyama, S. Mure, J.L. Hoyt
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 55:2687-2694
A fundamental understanding of the mechanisms responsible for the dependence of hole mobility on SiGe channel layer thickness is presented for channel thicknesses down to 1.8 nm. This understanding is critical to the design of strained SiGe p-MOSFETs
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::92f006ffd9c2bcb2b9da252ea9619cca
https://doi.org/10.1109/ted.2008.2003228
https://doi.org/10.1109/ted.2008.2003228
Publikováno v:
Applied Surface Science. 92:557-565
Metastable pseudomorphic Ge 0.12 Si 0.88 films of 265 nm thickness were grown on Si(100) substrates by molecular beam epitaxy and then implanted with 100 keV phosphorus ions at room temperature to doses of 5x10 13 cm -2 (lightly implanted) and 1.5 X
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::6fa9fc062dc93424e7742218973fb06f
https://doi.org/10.1016/0169-4332(95)00295-2
https://doi.org/10.1016/0169-4332(95)00295-2
Publikováno v:
Thin Solid Films. 270:439-444
We present a method that utilizes surface topography to control the distribution of grain sizes, single grain segment lengths and polygrain cluster lengths in AlCu thin films. Microstructural data for the grain size and segment/cluster length dist
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a75efc1b20465f54570045643eccfe8b
https://doi.org/10.1016/0040-6090(96)80074-5
https://doi.org/10.1016/0040-6090(96)80074-5
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 40:1251-1257
Electrical time-to-breakdown (TTB) measurements have shown the charge to breakdown Q/sub bd/ of gate oxide capacitors fabricated on n-type well (n-well) substrates always to be higher than that of capacitors on p-type well (p-well) substrates on the
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::88508496a4a51a88c3da82a983e77ee4
https://doi.org/10.1109/16.216429
https://doi.org/10.1109/16.216429
Autor:
J. Jones, Marco Racanelli, J. Tsao, N.D. Theodore, Bor-Yuan Hwang, Juergen A. Foerstner, M. Huang
Publikováno v:
Proceedings of 1993 IEEE International SOI Conference.
As semiconductor device dimensions shrink and packing-densities rise, issues of parasitic capacitance and circuit speed become increasingly important. The use of Thin-Film Silicon-On-Insulator (TFSOI) substrates for device fabrication is being explor
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::0f0f90eb6097ffcef3c45a01e83fc3dc
https://doi.org/10.1109/soi.1993.344579
https://doi.org/10.1109/soi.1993.344579
Autor:
Kang L. Wang, N.D. Theodore, J. H. Song, Donald Y.C. Lie, M.-A. Nicolet, S.G. Thomas, J. Candelaria, M.O. Tanner
Publikováno v:
MRS Proceedings. 379
Metastable pseudomorphic GexSi1−x (x=8%,16%) films were deposited on p-Si(100) substrates by chemical-vapor-deposition and then implanted at room temperature with 90 keV arsenic ions to a dose of 1.5×1015/cm2. The implantation amorphizes approxima
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::628a633fd74efd8fda9f83aa1379b108
https://doi.org/10.1557/proc-379-467
https://doi.org/10.1557/proc-379-467
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.