Zobrazeno 1 - 10
of 130
pro vyhledávání: '"N.B. Strokan"'
Autor:
A.M. Ivanov, N.B. Strokan, Denis Davydov, Alexander A. Lebedev, E.V. Bogdanova, N.S. Savkina, A.N. Kuznetsov
Publikováno v:
2001 International Semiconductor Device Research Symposium. Symposium Proceedings (Cat. No.01EX497).
Silicon carbide (SiC) is a wide band gap semiconductor with attractive properties for many applications. Recently, much progress has been made in preparing low-doped SiC films. The content of electrically active impurities in the films is controlled
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::fd33161f0a475123139b3db7df3f0516
https://doi.org/10.1109/isdrs.2001.984485
https://doi.org/10.1109/isdrs.2001.984485
Publikováno v:
Nuclear Instruments and Methods. 93:277-284
The principle of amplitude spectra formation on the basis of representing the pulse formation stages as a successive series of independent processes has been suggested. Each one of them is characterized by a so-called response function which reflects
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::bead488e2f8dc4cf84163373dbf1e530
https://doi.org/10.1016/0029-554x(71)90477-0
https://doi.org/10.1016/0029-554x(71)90477-0
Publikováno v:
IEEE Transactions on Nuclear Science. 15:226-231
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::3c47535b1c0bad045d2be50247f8ccd0
https://doi.org/10.1109/tns.1968.4324941
https://doi.org/10.1109/tns.1968.4324941
Autor:
S.M. Ryvkin, N.I. Komyak, R.I. Plotnikov, N.B. Strokan, A.N. Zhukovsky, D.A. Goganov, A.Kh. Khusainov
Publikováno v:
Nuclear Instruments and Methods. 95:177-180
We have proposed an X-ray spectrometer based on p-i-n detectors obtained by compensation of n-germanium by radiation defects. The detectors are stable at room temperature, with a thin entrance window and are made selfconsistent which noticeably simpl
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::fb2e84683519d6b5131f96a6dbf167ea
https://doi.org/10.1016/0029-554x(71)90058-9
https://doi.org/10.1016/0029-554x(71)90058-9
Publikováno v:
Physics of p-n Junctions and Semiconductor Devices ISBN: 9781475712346
The temperature and bias dependences of the capacitance of n’—n—p structures made of germanium corpensated by γ -ray generated radiation defects are explained using an equivalent circuit. It is demonstrated that the carrier energy distribution
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::883dba7be41f9a0cf91ad5265c117f99
https://doi.org/10.1007/978-1-4757-1232-2_32
https://doi.org/10.1007/978-1-4757-1232-2_32
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.