Zobrazeno 1 - 10
of 465
pro vyhledávání: '"N. Zainal"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Computers, Materials & Continua. 71:2869-2882
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::29bcb8242ffa2ae4017657b63ec55281
https://doi.org/10.32604/cmc.2022.022694
https://doi.org/10.32604/cmc.2022.022694
Publikováno v:
ADVANCES IN MATERIAL SCIENCE AND MANUFACTURING ENGINEERING.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::37838a2a3d7f389d21e51a13fa721214
https://doi.org/10.1063/5.0117295
https://doi.org/10.1063/5.0117295
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
M Ikram Md Taib, M A Ahmad, E A Alias, A I Alhassan, I A Ajia, M M Muhammed, I S Roqan, S P DenBaars, J S Speck, S Nakamura, N Zainal
Publikováno v:
Semiconductor Science and Technology. 38:035025
In this work, indium (In) was introduced as a surfactant during growth of high temperature GaN quantum barriers (QBs) and GaN interlayer of InGaN/GaN green LEDs. A reference LED grown without In-surfactant was also included for comparison. Results su
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::38872779ceec793541487ec86784185c
https://doi.org/10.1088/1361-6641/acb2eb
https://doi.org/10.1088/1361-6641/acb2eb