Zobrazeno 1 - 7
of 7
pro vyhledávání: '"N. Ushifusa"'
Autor:
Kinoshita Masaharu, N. Ushifusa, Atsushi Isobe, Yoshitaka Sasago, C. Yorita, Hitoshi Nakamura, Yohei Nakamura, Toshiyuki Usagawa, Kohei Yoshikawa, K. Okishiro, K. Ono, Yumiko Anzai, Koji Fujisaki, S. Komatsu, Takahiro Odaka, Shuntaro Machida, Taizo Yamawaki, Yasuhiko Sugiyama
Publikováno v:
2018 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM).
We have developed a SiC-FET-type gas sensor that enables highly sensitive NO detection in high-temperature exhaust gas. The gate of the FET is a gas detection layer consisting of yttria-stabilized zirconia, nickel oxide, and platinum, which are depos
Publikováno v:
MRS Proceedings. 264
Mullite (3Al2O3·2SiO2) has a low thermal expansion coefficient and a low dielectric constant making it a favorable material for substrate applications. Sintering of pure mullite ceramics is difficult, however, even above 1700°C. Thus, mullite-glass
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.