Zobrazeno 1 - 10
of 35
pro vyhledávání: '"N. Tamba"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
International Technical Digest on Electron Devices Meeting.
A simple closed-form expression for f/sub T/ (cutoff frequency) down to liquid nitrogen temperature has been determined by examining the emitter-collector transit time, t/sub ec/, where f/sub T/=1/(2 pi t/sub ec/). This closed-form expression gives e
Publikováno v:
International Technical Digest on Electron Devices Meeting.
The authors report the observation and analysis of minority carrier generation in the collector and the substrate of n-p-n bipolar junction transistors as a result of photons which are generated in the collector-base depletion region. Both the substr
Autor:
K. Watanabe, E. Yoshida, Y. Tamaki, N. Tamba, H. Yamaguchi, Takayuki Hashimoto, S. Wada, Toshiyuki Kikuchi, Takahide Ikeda, Y. Onishi
Publikováno v:
Proceedings of International Electron Devices Meeting.
A 0.35 /spl mu/m ECL-CMOS technology has been developed to achieve high speed and high density LSIs for mainframe computers. A high speed bipolar transistor with cutoff frequency f/sub T/ of 30 GHz and a 30 /spl mu/m/sup 2/ 6T-CMOS memory cell with a
Autor:
M. Nakayama, H. Sakakibara, M. Kusunoki, K. Kurita, Y. Yokoyama, S. Miyaoka, J. Koike, N. Tamba, T. Kobayashi, M. Kume, H. Sawamoto, A. Kawata, H. Tanaka, Y. Takada, M. Yamamoto, M. Yagyu, Y. Tsuchiya, H. Yoshida, N. Kitamura, K. Yamaguchi
Publikováno v:
2000 IEEE International Solid-State Circuits Conference. Digest of Technical Papers (Cat. No.00CH37056).
With continuous scaling of process technology, embedded DRAM technology becomes promising for high performance cache memory systems because of its potential of large memory capacity and high bandwidth. Although several papers reported, none of them h
Autor:
H. Akasaki, Y. Tanaka, T. Kobayashi, T. Ueda, E. Yamasaki, S. Miyaoka, M. Yagyu, K. Toriyama, N. Tamba, H. Miki, M. Katayama, K. Takashima, M. Todokoro, N. Itoh, M. Kaneda, Yuji Yokoyama
Publikováno v:
Proceedings of the IEEE 2000 Custom Integrated Circuits Conference (Cat. No.00CH37044).
A 1.8-V embedded 18-Mb DRAM with memory-cell efficiency of 33% that is achieved by a single-side interface architecture has been developed. A 9-ns RAS access time and a 4.6-ns CAS access time that enables a data-translation rate of 40 Gb/s was achiev
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters. 11:490-492
The authors report on the observation and analysis of minority-carrier generation in the collector and the substrate of n-p-n bipolar junction transistors as a result of photons which are generated in the collector-base depletion region. Both the sub
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.