Zobrazeno 1 - 2
of 2
pro vyhledávání: '"N. Shooda"'
Autor:
Keiji Horioka, Y. Akama, Haruo Okano, Nobuo Hayasaka, A. Sakai, S. Nadahara, J. Shiozawa, N. Shooda, Hirotaka Nishino
Publikováno v:
Journal of Applied Physics. 74:1349-1353
Changes in surface morphology have been studied for Si surfaces treated with CF4/O2 down‐flow etching. It has been found that rough Si surfaces can be smoothed and Si trench corners can be rounded off using this CF4/O2 down‐flow etching. A SiFxOy
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f7e7754084e52458e9f71c9be986114f
https://doi.org/10.1063/1.354891
https://doi.org/10.1063/1.354891
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.