Zobrazeno 1 - 10
of 39
pro vyhledávání: '"N. Shohata"'
Autor:
Tsuneo Takeuchi, T. Kunio, Yoichi Miyasaka, T. Otsuki, Takashi Hase, Yukihiko Maejima, K. Amantuma, M. Fukuma, N. Tanabe, Tohru Kimura, M. Takada, S. Kobayashi, Yoshihiro Hayashi, N. Shohata, T. Masuki, S. Saito, Hiroki Koike
Publikováno v:
IEEE Journal of Solid-State Circuits. 31:1625-1634
This paper proposes three circuit technologies for achieving mega-bit-class nonvolatile ferroelectric RAMs (NVFRAMs). The proposed nondriven cell plate line write/read scheme (NDP scheme) accomplishes fast write/read operation equivalent to that of D
Autor:
S. Saito, Tsuneo Takeuchi, T. Kunio, Yoichi Miyasaka, Tohru Kimura, N. Tanabe, Hiroki Koike, S. Kobayashi, Takashi Hase, Yoshihiro Hayashi, Takeo Matsuki, M. Takada, Kazushi Amanuma, N. Shohata, T. Otsuki, Yukihiko Maejima, M. Fukuma
Publikováno v:
1996 IEEE International Solid-State Circuits Conference. Digest of TEchnical Papers, ISSCC.
With increase in the capacity of nonvolatile memories, the range of their use has been widening. A nonvolatile ferroelectric RAM (NVFRAM) based on a 1-transistor and 1-capacitor (1T/1C) memory cell has potential for fast-access time and small-chip si
Publikováno v:
Sixth IEEE International Symposium on Applications of Ferroelectrics.
Publikováno v:
Advances in Superconductivity ISBN: 9784431680864
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c31f06e74df152eaf0611afcf3825c94
https://doi.org/10.1007/978-4-431-68084-0_91
https://doi.org/10.1007/978-4-431-68084-0_91
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
X.D. Wu, C. C. Chang, B. Wilkens, A. Inam, Y. Miyasaka, M. S. Hegde, S. Matsubara, S. Miura, L. Nazar, Thirumalai Venkatesan, N. Shohata, D. M. Hwang, R. Ramesh
Publikováno v:
Proceedings, annual meeting, Electron Microscopy Society of America. 47:182-183
Several groups have prepared nearly-single-crystalline YBa2Cu3O7-X thin films on SrTiO3 substrates with critical temperatures of zero resistivity (Tα) exceeding 90 K and critical current densities at 77 K (Jc,77k) exceeding 106 A/cm2. However, films
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.