Zobrazeno 1 - 10
of 25
pro vyhledávání: '"N. Saucedo-Zeni"'
Publikováno v:
Japanese Journal of Applied Physics. 42:L410-L413
We report the effects of the exposure of homoepitaxially grown GaAs buffer layers to high temperature with no As overpressure on the InAs growth front. It was observed that after using this thermal treatment the InAs bidimensional growth was preserve
Study of the GaAs growth on pseudomorphic Si layers for the formation of self-assembled quantum dots
Autor:
N. Saucedo-Zeni, Máximo López-López, Víctor Hugo Méndez-García, Luis Zamora-Peredo, A. Perez-Centeno
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 251:236-242
We employed a Si interlayer to drive a 2D-3D transition in the GaAs/AlGaAs system. We have found that self-assembled GaAs quantum dots can be obtained by this technique. The samples were prepared in a Riber 32P MBE system employing undoped SI-GaAs[10
Autor:
A. Lastras-Martínez, A.Yu. Gorbatchev, R. E. Balderas-Navarro, C.I. Medel-Ruiz, V.H. Méndez-García, N. Saucedo-Zeni, Luis Zamora-Peredo
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 251:201-207
We investigated the effects induced by Si during self-assembled InAs quantum dots growth by molecular beam epitaxy on GaAs (1 0 0) substrates. The GaAs surface was exposed at high substrate temperatures to Si molecular flux for a few seconds. Samples
Autor:
V.H. Méndez-García, Máximo López-López, Luis Zamora-Peredo, A. Lastras-Martínez, A. Perez-Centeno, N. Saucedo-Zeni
Publikováno v:
Scopus-Elsevier
A new method to obtain self-assembled GaAs quantum dots is presented. In this method, one monolayer (ML) of Si is pseudomorphically grown on an AlGaAs layer by molecular beam epitaxy. The subsequent GaAs overgrowth proceeds in a three dimensional (3D
Autor:
Luis Zamora-Peredo, A.Yu. Gorbatchev, V.H. Méndez-García, C.I. Medel-Ruiz, N. Saucedo-Zeni, A. Lastras-Martínez
Publikováno v:
International Conference on Molecular Bean Epitaxy.
Summary form only given. Semiconductor quantum dot (QDs) structures have received increasing attention over the last few years because they are expected to lead to significant improvements in optical and electronic device applications. Nowadays, all
Publikováno v:
Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures. 22:1503
We report improvement in the uniformity of InAs quantum dot (QD) arrangements grown on GaAs(100) surfaces by molecular beam epitaxy. GaAs surfaces were subjected to annealing processes at high temperature under no flux and under molecular Si flux for
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.