Zobrazeno 1 - 10
of 229
pro vyhledávání: '"N. Rorsman"'
Autor:
R. Y. Khosa, E. B. Thorsteinsson, M. Winters, N. Rorsman, R. Karhu, J. Hassan, E. Ö. Sveinbjörnsson
Publikováno v:
AIP Advances, Vol 8, Iss 2, Pp 025304-025304-8 (2018)
We report on the electrical properties of Al2O3 films grown on 4H-SiC by successive thermal oxidation of thin Al layers at low temperatures (200°C - 300°C). MOS capacitors made using these films contain lower density of interface traps, are more im
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/b4b65a01a17a48f38be1820a2829f70f
Publikováno v:
AIP Advances, Vol 6, Iss 8, Pp 085010-085010-13 (2016)
Capacitance voltage (CV) measurements are performed on planar MOS capacitors with an Al2O3 dielectric fabricated in hydrogen intercalated monolayer and bilayer graphene grown on 6H-SiC as a function of frequency and temperature. Quantitative models o
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/662fd8b979324f988eefd8c52c222e76
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
A. Papamichail, A. R. Persson, S. Richter, P. Kühne, V. Stanishev, P. O. Å. Persson, R. Ferrand-Drake Del Castillo, M. Thorsell, H. Hjelmgren, P. P. Paskov, N. Rorsman, V. Darakchieva
Publikováno v:
Applied Physics Letters. 122:153501
Compositionally graded channel AlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs) offer a promising route to improve device linearity, which is necessary for low-noise radio-frequency amplifiers. In this work, we demonstrate different grading profi
Autor:
A. Papamichail, A. Kakanakova-Georgieva, E. Ö. Sveinbjörnsson, A. R. Persson, B. Hult, N. Rorsman, V. Stanishev, S. P. Le, P. O. Å. Persson, M. Nawaz, J. T. Chen, P. P. Paskov, V. Darakchieva
The hot-wall metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD), previously shown to enable superior III-nitride material quality and high performance devices, has been explored for Mg doping of GaN. We have investigated the Mg incorporation in a wide d
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::fad25e5bf052fa60e3133c4b1066e5e8
http://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:liu:diva-185485
http://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:liu:diva-185485
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.