Zobrazeno 1 - 10
of 64
pro vyhledávání: '"N. Revil"'
Autor:
A. Divay, J. Forest, V. Knopik, J. Hai, N. Revil, J. Antonijevic, A. Michard, F. Cacho, E. Vincent, F. Gaillard, X. Garros
Publikováno v:
2021 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM).
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::95925e65eaf529a86727f0dc1357e1eb
https://doi.org/10.1109/iedm19574.2021.9720531
https://doi.org/10.1109/iedm19574.2021.9720531
Autor:
Alain Bravaix, M. Denais, C. Parthasarathy, G. Ribes, N. Revil, F. Perrier, Vincent Huard, Y. Rey-Tauriac
Publikováno v:
International Electron Device Meeting
International Electron device Meeting
International Electron device Meeting, Dec 2004, San Francisco, United States. ⟨10.1109/IEDM.2004.1419080⟩
International Electron device Meeting
International Electron device Meeting, Dec 2004, San Francisco, United States. ⟨10.1109/IEDM.2004.1419080⟩
International audience; We propose a new methodology to characterize the negative bias temperature instability (NBTI) degradation without inherent recovery. The extracted parameters are the linear drain current, the threshold voltage and the transcon
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::dca56bee820329b169ead415805451a5
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03021715
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03021715
Publikováno v:
Proceedings of the 30th European Solid-State Circuits Conference (IEEE Cat. No.04EX850).
This work gives new insights of negative bias temperature instability (NBTI) characterization methodologies in advanced CMOS technology. NBTI is well-known to seriously limit the circuit performances in p-channel MOSFETs, in relation to both interfac
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::be9ae0fe111aab26c815bdc2a0462af2
https://doi.org/10.1109/essder.2004.1356540
https://doi.org/10.1109/essder.2004.1356540
Autor:
P.O. Sassoulas, Francois Wacquant, J. Todeschini, M. Woo, M. Charpin, Y. Laplanche, N. Revil, J.C. Oberlin, Roland Pantel, B. Hinschberger, O. Belmont, D. Neira, P. Stolk, Franck Arnaud, M. Broekaart, Frederic Boeuf, I. Guilmeau, D. Ceccarelli, Francois Leverd, N. Emonet, Damien Lenoble, Bertrand Borot, G. Imbert, N. Bicais, S. Delmedico, A. Sicard, Nicolas Planes, J. Farkas, Christophe Regnier, V. Vachellerie, J. Uginet, Chittoor Parthasarathy, E. Denis, V. DeJonghe, Pierre Morin, T. Devoivre, H. Brut, R. Palla, Laurent Pain, P. Vannier, F. Salvetti, A. Beverina, C. Perrot
Publikováno v:
2003 Symposium on VLSI Technology. Digest of Technical Papers (IEEE Cat. No.03CH37407).
This work highlights a 65 nm CMOS technology platform for low power and general-purpose applications. A 6-T SRAM cell size of 0.69 /spl mu/m/sup 2/ with a 45 nm gate length is demonstrated. Electrical data of functional SRAM bit-cell is presented at
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f57f1b2bcd5199626774a2f09c78af07
https://doi.org/10.1109/vlsit.2003.1221088
https://doi.org/10.1109/vlsit.2003.1221088
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.