Zobrazeno 1 - 10
of 47
pro vyhledávání: '"N. Ramungul"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Materials Science Forum. :1415-1418
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::365963f9c21e0facb8b1d98663c0e8c5
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.338-342.1415
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.338-342.1415
Autor:
N. Ramungul, Mario Ghezzo, T. Paul Chow, Vishnu K. Khemka, Ahmed Elasser, Jeffery B. Fedison, James W. Kretchmer, Zhongda Li
Publikováno v:
Materials Science Forum. :1367-1370
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::076e946ee5ff007fec812df4be8b27db
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.338-342.1367
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.338-342.1367
Autor:
K. Matocha, N. Ramungul, T.P. Chow, Yi Tang, Vishnu K. Khemka, J.B. Fedison, Ronald J. Gutmann
Publikováno v:
Solid-State Electronics. 44:277-301
The present status of the silicon carbide and gallium nitride bipolar power semiconductor devices is reviewed. Several unipolar and bipolar figures of merit have been examined to demonstrate the potential performance gain to be obtained from silicon
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a8bc09920de37a6f7ad913db0ccb1897
https://doi.org/10.1016/s0038-1101(99)00235-x
https://doi.org/10.1016/s0038-1101(99)00235-x
Autor:
T.P. Chow, N. Ramungul
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 46:493-496
This paper presents an experimental demonstration of a current-controlled negative resistance (CCNR) in the forward characteristics of 6H-SiC P-i-N rectifiers. These forward characteristics indicate that the poor electrical performance of SiC diodes
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::c16d98dbde69aa622620c6e7b1469499
https://doi.org/10.1109/16.748867
https://doi.org/10.1109/16.748867
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 46:465-470
The use of beryllium (Be) as an alternate p-type dopant for implanted silicon carbide (SiC) p/sup +/-n junctions is experimentally demonstrated. The implanted layers have been characterized with photoluminescence (PL) as well as secondary ion mass sp
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::12e43f8b49141262893bbfc5df5fbed3
https://doi.org/10.1109/16.748863
https://doi.org/10.1109/16.748863
Publikováno v:
Journal of Electronic Materials. 28:167-174
We report the characterization of phosphorus implantation in 4H-SiC. The implanted layers are characterized by analytical techniques (secondary ion mass spectrometry, transmission electron microscopy) as well as electrical and a sheet resistance valu
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::3ce530089cde995aba1a0a7a3594e912
https://doi.org/10.1007/s11664-999-0008-z
https://doi.org/10.1007/s11664-999-0008-z
Publikováno v:
Materials Science Forum. :1049-1052
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::98be379a4844a97139987a60c1169ab0
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.264-268.1049
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.264-268.1049