Zobrazeno 1 - 2
of 2
pro vyhledávání: '"N. Qobulashvili"'
Autor:
N. Kekelidze, B. Kvirkvelia, E. Khutsishvili, T. Qamushadze, D. Kekelidze, R. Kobaidze, Z. Chubinishvili, N. Qobulashvili, G. Kekelidze
On the basis of InAs, InP and their InPxAs1-x solid solutions, the technologies were developed and materials were created where the electron concentration and optical and thermoelectric properties do not change under the irradiation with Ф = 2∙101
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::c7fe10bd14764d22265d4d3c6006c5e5
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.