Zobrazeno 1 - 10
of 137
pro vyhledávání: '"N. Puetz"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films. 18:648-651
Selective area epitaxy of InP on masked (100) InP substrates is studied. InP layers are deposited between pairs of SiO2 stripes using low-pressure metalorganic chemical vapor deposition. Layer thickness is investigated by surface profiling and scanni
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::205b1bc0fd6680a3ef1b22892632671a
https://doi.org/10.1116/1.582242
https://doi.org/10.1116/1.582242
Publikováno v:
Physical Review B. 54:13456-13459
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::7b990feee598c7d6688ceb2cfbc0100f
https://doi.org/10.1103/physrevb.54.13456
https://doi.org/10.1103/physrevb.54.13456
Publikováno v:
Semiconductor Science and Technology. 10:1233-1236
We report far-infrared photoconductivity measurements under magnetic field on a high-quality In0.53Ga0.47As epitaxial layer having a thickness of 5 mu m and a small lattice mismatch with the InP substrate ( Delta a/a=-7*10-4). The transition between
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::bf8ffdf043c726465ee550e599e493f1
https://doi.org/10.1088/0268-1242/10/9/005
https://doi.org/10.1088/0268-1242/10/9/005
Publikováno v:
IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics. 1:275-284
The magnitude of the temperature rate of change of the threshold current density (J/sub th/) is examined with respect to J/sub th/, for a variety of unstrained and strained, long wavelength multiple quantum-well (MQW) lasers. A strong correlation is
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::5bb16f2de0c0eb8108b49914906c8de5
https://doi.org/10.1109/2944.401206
https://doi.org/10.1109/2944.401206