Zobrazeno 1 - 5
of 5
pro vyhledávání: '"N. Niisoe"'
Autor:
K. Tanida, S. Suzuki, T. Seo, M. Morinaga, H. Korogi, M. Tetani, M. Hamada, R. Eto, T. Yamashita, Y. Kato, N. Sato, T. Shimizu, T. Hanawa, H. Kubo, K. Ueda, F. Ito, Y. Noguchi, M. Nakamura, R. Mizukoshi, M. Takeuchi, M. Suzuki, N. Niisoe, I. Miyanaga, A. Ikeda, S. Matsumoto
Publikováno v:
2022 IEEE International Interconnect Technology Conference (IITC).
Autor:
W. Kamisaka, T. Kuriyama, S. Terakawa, N. Niisoe, Y. Shigeta, Y. Sano, M. Asaumi, H. Aoki, A. Tsukamoto, Y. Miyata, H. Senda, T. Otagaki
Publikováno v:
Proceedings of Custom Integrated Circuits Conference.
A new pixel technology has been developed for a 1/4-inch 430 k (PAL) pixel IT-CCD (Inter-line Transfer Charge Coupled Device). The new pixel has a thin light shield made of tungsten silicide film and an inner-layer optical micro-lens pre-defined by B
Autor:
M. Asaumi, T. Kuroda, N. Niisoe, Y. Matsuda, M. Masuyama, K. Tachikawa, M. Niwayama, S. Terakawa, T. Yamada, K. Ishikawa, Y. Miyata
Publikováno v:
1996 IEEE International Solid-State Circuits Conference. Digest of TEchnical Papers, ISSCC.
A 1/4 inch IT-CCD with 640 (H)/spl times/480 (V) square pixels is described. In a progressive-scan CCD, the gate area for charge storage during vertical charge transfer decreases to less than half compared with a conventional CCD. The first objective
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.