Zobrazeno 1 - 10
of 1 402
pro vyhledávání: '"N. Nath"'
Publikováno v:
Animal, Vol 2, Iss 6, Pp 879-882 (2008)
The study describes the standardization of a suitable semen cryopreservation protocol for the first time in mithun (Bos frontalis) and birth of the first mithun calf through artificial insemination. The semen samples were collected from adult bulls t
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/29f0b61cba5044138525e43b2c5624e4
Autor:
Rijo Baby, K. Reshma, Hareesh Chandrasekar, Rangarajan Muralidharan, Srinivasan Raghavan, Digbijoy N. Nath
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 70:1607-1612
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 69:1014-1019
Autor:
Aniruddhan Gowrisankar, Sai Charan Vanjari, Abheek Bardhan, Anirudh Venugopalarao, Hareesh Chandrasekar, Rangarajan Muralidharan, Srinivasan Raghavan, Digbijoy N. Nath
Publikováno v:
2022 IEEE International Conference on Emerging Electronics (ICEE).
Publikováno v:
Progress in molecular biology and translational science. 192(1)
Infectious origins of a set of severe gastroduodenal diseases viz. gastritis, duodenal ulcer, gastric ulcer, gastric adenocarcinoma and gastric mucosa-associated lymphoid tissue (MALT) lymphoma were appreciated only after the discovery of H. pylori i
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Digbijoy N. Nath, Vanjari Sai Charan, Rangarajan Muralidharan, Sandeep Vura, Srinivasan Raghavan
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters. 42:497-500
We report a novel Sc/Al/Ni/Au metal scheme for Ohmic contacts to InAlN/GaN HEMT structures on silicon. A contact resistance of $0.39~\Omega $ -mm with a low surface roughness of 20± 3 nm of the annealed contact has been achieved using this metal sch