Zobrazeno 1 - 10
of 1 052
pro vyhledávání: '"N. Motohashi"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Yoshinori Yoshida, N. Motohashi, G. Miyamoto, S. Kuroda, Yoko Yamabe-Mitarai, Yoshio Itsumi, Hiroaki Matsumoto, Mitsuo Niinomi, Kenta Yamanaka
Publikováno v:
MATEC Web of Conferences, Vol 321, p 04014 (2020)
Microstructure dependence on mechanical properties were investigated for Ti-17 forged at temperatures between 700 and 850 ˚C with deformation ratio from 33 to 80 %, and solutiontreated at 800˚C for 4 hours and aged at 620 ˚C for 8 hours. The micro
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Mitsuaki Honma, S. Hoshi, Mark Murin, T. Shimizu, T. Kawaai, Michio Nakagawa, K. Nagaba, K. Kanebako, K. Kanazawa, Y. Komatsu, Arik Eyal, Hiroshi Maejima, K. Imamiya, H. Tabata, Menahem Lasser, K. Iwasa, T. Shano, M. Kosakai, Mark Shlick, Noboru Shibata, Masaki Fujiu, Hiroto Nakai, A. Inoue, Katsuaki Isobe, S. Yoshikawa, Avraham Meir, T. Takahashi, N. Motohashi
Publikováno v:
IEEE Journal of Solid-State Circuits. 43:929-937
A 16 Gb 16-level-cell (16LC) NAND flash memory using 70 nm design rule has been developed . This 16LC NAND flash memory can store 4 bits in a cell which enabled double bit density comparing to 4-level-cell (4LC) NAND flash, and quadruple bit density