Zobrazeno 1 - 10
of 28
pro vyhledávání: '"N. Meilwes"'
Publikováno v:
Semiconductor Science and Technology. 9:1623-1632
Singly ionized thermal double donors (TDD+), which have the so-called NL8 EPR spectrum, have been investigated with electron nuclear double resonance (ENDOR) in silicon doped with various acceptors (Al,B,In,Ga). No differences were detected in the EN
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d03281107da19e6a569da638afa158b3
https://doi.org/10.1088/0268-1242/9/9/009
https://doi.org/10.1088/0268-1242/9/9/009
Publikováno v:
Semiconductor Science and Technology. 9:1346-1353
Thermally induced defects in oxygen-rich silicon are the thermal donors (TDDS) and the so-called NL10 defects. These defects are formed by annealing at temperatures around 450 degrees C. Whereas the TDDS have a unique nature, some NL10 defects probab
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::130f02797139fa468dd45295f10085f2
https://doi.org/10.1088/0268-1242/9/7/008
https://doi.org/10.1088/0268-1242/9/7/008
Autor:
W. Götz, Gerhard Pensl, Gagik A. Oganesyan, Valentin V. Emtsev, Johann Martin Spaeth, N. Meilwes
Publikováno v:
Materials Science Forum. :141-146
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::7f0eacde6f3e08876a950121605ed336
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.143-147.141
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.143-147.141
Publikováno v:
Materials Science Forum. :247-252
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a199f31e9768add9f60c90b7badb97fe
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.65-66.247
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.65-66.247
Publikováno v:
Materials Science Forum. :607-612
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e321fc1d2b223960ca1a76f38b8ef4ea
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.38-41.607
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.38-41.607
Publikováno v:
Physical Review B. 39:7978-7981
An electron-spin-resonance investigation on n-type (P-doped) and an electron-nuclear double-resonance (ENDOR) investigation on p-type (B- and Al-doped) Czochralski-grown oxygen-rich Si was performed after annealing at 460 \ifmmode^\circ\else\textdegr
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::837cdd3fc65b4a9c6be903cffa4eae16
https://doi.org/10.1103/physrevb.39.7978
https://doi.org/10.1103/physrevb.39.7978
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.