Zobrazeno 1 - 9
of 9
pro vyhledávání: '"N. Laegreid"'
Autor:
G. K. Wehner, N. Laegreid
Sputtering yields for poly crystalline semiconductor and metal targets under normally incident A + - ion bombardment were measured in the energy range from 30 to 800 eV. The measurements were made in a low pressure (2—5 μ ) high density argon plas
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::bd124a59f892cd7ccfdf97c077e6f950
https://doi.org/10.1016/b978-1-4831-9852-1.50037-2
https://doi.org/10.1016/b978-1-4831-9852-1.50037-2
Publikováno v:
Journal of Applied Physics. 30:374-377
Sputtering yields of germanium bombarded by Xe+, Kr+, A+, Ne+, and He+‐ions under normal incidence at energies up to 400 ev have been determined. Yield vs ion energy curves consist of three parts; (1) a low‐energy tail (possibly caused by a proce
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::97d72c5cba4fa616704ecabcfac693d0
https://doi.org/10.1063/1.1735171
https://doi.org/10.1063/1.1735171
Autor:
S. D. Dahlgren, N. Laegreid
Publikováno v:
Journal of Applied Physics. 44:2093-2096
Equations and graphs are developed for rapid estimation of sputtering rates at the first wall of controlled thermonuclear reactors (CTR). High‐energy particle sputtering yield data and potential particle fluxes are presently not readily available f
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::69b7e30134d4089a9782fff77e312255
https://doi.org/10.1063/1.1662517
https://doi.org/10.1063/1.1662517
Publikováno v:
Revue de Physique Appliquée
Revue de Physique Appliquée, Société française de physique / EDP, 1977, 12 (2), pp.417-422. ⟨10.1051/rphysap:01977001202041700⟩
Revue de Physique Appliquée, Société française de physique / EDP, 1977, 12 (2), pp.417-422. ⟨10.1051/rphysap:01977001202041700⟩
CdTe films were sputter deposited in thicknesses of 2 to 10 μm using systematically selected deposition conditions. Crystal structure was controllably varied from sharp hexagonal (wurtzite), to highly faulted, to sharp cubic (sphalerite). Electrical
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::6d176d09ae97322b949c2c75a50fbd0c
https://hal.archives-ouvertes.fr/jpa-00244184/document
https://hal.archives-ouvertes.fr/jpa-00244184/document
Autor:
N. Laegreid, W. T. Pawlewicz
Publikováno v:
SPIE Proceedings.
Data are provided to demonstrate that metals, semiconductors, and insulators can be sputter deposited to obtain preselected properties. Semiconductors and insulators such as CdTe, CdS, In2-x SnxO3, TiO2 and a-Si have been controllably and reproducibl
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::73471bebe962d3567ce06cc5f9c412f6
https://doi.org/10.1117/12.956279
https://doi.org/10.1117/12.956279
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.