Zobrazeno 1 - 10
of 202
pro vyhledávání: '"N. Labat"'
Thermal and statistical analysis of various AlN/GaN HEMT geometries for millimeter Wave applications
Publikováno v:
IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS 2023)
IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS 2023), Mar 2023, Monterey, CA, United States. ⟨10.1109/IRPS48203.2023.10117807⟩
IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS 2023), Mar 2023, Monterey, CA, United States. ⟨10.1109/IRPS48203.2023.10117807⟩
flagship_devices; International audience; Downscaling HEMT devices is nowadays substantial to allow their operation in the millimeter wave frequency domain. In this work, the electrical parameters of three different AlN/GaN structures featuring vario
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::f2109241a68a6c57a2646e4cc59bc74f
https://hal.science/hal-04125371
https://hal.science/hal-04125371
The lack of coherence between the trade names applied to commercially sold wood and the scientific names of the species involved may be contributing to the degradation and loss of biodiversity. To test this, a study was conducted in nine forestry con
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::8e8063682d7326a2a398fc7cfbb39225
https://doi.org/10.21203/rs.3.rs-1642561/v1
https://doi.org/10.21203/rs.3.rs-1642561/v1
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Microelectronics Reliability. 51:1845-1849
This paper presents the insulated TO-220AB TRIAC package aging when these devices are subjected to experimental power cycling test with various case temperature swings (Δ T case ). This study includes reliability tests set-up, results and failure an
Publikováno v:
Microelectronics Reliability. 50:1688-1691
Because of its advantages (reduction of thickness, improvement of the signal delay and of the thermal dissipation…), Cu/low-k technologies are more and more used for RF applications in semiconductor industry. The failure analysis of such devices be
Publikováno v:
Microelectronics Reliability. 43:1731-1736
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
N. Malbert, M. Riet, N. Labat, Cristell Maneux, J.-L. Benchimol, Yves Danto, Jean-Michel Dumas, A. Touboul
Publikováno v:
Microelectronics Journal. 32:357-371
This work describes the implementation of an experimental procedure to evaluate the reliability of Heterojunction Bipolar Transistors (HBT) on a GaAs substrate. It is based on the separation of aging test accelerating factors applied on two test vehi
Publikováno v:
Scopus-Elsevier
FIB modifications are known to result in successful repairs of integrated circuits. Nevertheless, it appears necessary to understand the interaction between Ga+ FIB and integrated circuits and to be able to confirm that modifications do not induce el