Zobrazeno 1 - 10
of 482
pro vyhledávání: '"N. Kotani"'
Kniha
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
J Tomomatsu, Michiyasu Inatani, Kokoro Kobayashi, Ippei Fukada, N. Kotani, Kazuo Tamura, Takeshi Kobayashi, Kan Yonemori, Chikako Shimizu, Tatsunori Shimoi, E. Nara, Kenichi Nakamura, Makoto Kodaira, Akihiko Shimomura, K Araki, Yoshinori Ito, Mayu Yunokawa, K Nakano, S. Takahashi
Publikováno v:
Cancer Research. 76:P3-14
Background: Taselisib (GDC-0032) is an orally bioavailable, potent and selective phosphoinositide 3-kinase (PI3K) inhibitor. Preclinical data showed that taselisib had increased antitumor activity against PIK3CA (gene encoding the PI3Kα isoform) mut
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
T. Terano, Hirofumi Shinohara, Katsuji Satomi, Yasumasa Tsukamoto, Hironori Akamatsu, M. Kurumada, Makoto Yabuuchi, Shigeki Ohbayashi, S. Ishikura, H. Makino, T. Oashi, N. Kotani, Koji Nii, Y. Yamagami
Publikováno v:
IEEE Journal of Solid-State Circuits. 43:938-945
We propose a new 2-port SRAM with a single read bit line (SRBL) eight transistors (8 T) memory cell for a 45 nm system-on-a-chip (SoC). Access time tends to be slower as a fabrication is scaled down because of threshold voltage (Vt) random variations