Zobrazeno 1 - 10
of 62
pro vyhledávání: '"N. Kistler"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
N. Kistler, Karl Bertling, Aleksandar D. Rakić, M. Stuber, Tran Ho, H. Domyo, G. Imthurn, Yew-Tong Yeow
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters. 29:325-327
The density and the electrical nature of the interface traps at the silicon-sapphire interface of silicon-on-sapphire (SOS) MOSFETs have a significant influence on the electrical characteristics of these transistors. This letter describes a simple MO
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::937b74fb0c97379c05918fd1610c705b
https://doi.org/10.1109/led.2008.918263
https://doi.org/10.1109/led.2008.918263
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Jason C. S. Woo, N. Kistler
Publikováno v:
Solid-State Electronics. 39:445-454
Fully depleted silicon-on-insulator (SOI) MOSFETs offer a number of advantages over conventional bulk silicon transistors, making them attractive candidates for deep sub-micron low power electronics. In this paper, we present detailed characterizatio
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::2414d0cc48a724c327b3003705f194b8
https://doi.org/10.1016/0038-1101(95)00168-9
https://doi.org/10.1016/0038-1101(95)00168-9
Autor:
Jason C. S. Woo, N. Kistler
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 41:1217-1221
The breakdown voltage in fully depleted SOI n-MOSFET's has been studied over a wide range of film thicknesses, channel dopings, and channel lengths. In lightly-doped films, the breakdown voltage roll-off at shorter channel lengths becomes much less s
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::48b14a8e2e964b920e0b6957389482a7
https://doi.org/10.1109/16.293350
https://doi.org/10.1109/16.293350
Autor:
G. Fossum, Ana Lucia Varbanescu, Michael P. Perrone, Fabrizio Petrini, N. Kistler, Juan C. Fernandez
Publikováno v:
IPDPS
The Cell Broadband Engine (BE) processor provides the potential to achieve an impressive level of performance for scientific applications. This level of performance can be reached by exploiting several dimensions of parallelism, such as thread-level
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::19e292b15248c3d70d0f343ab396bc4d
https://doi.org/10.1109/ipdps.2007.370252
https://doi.org/10.1109/ipdps.2007.370252
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE International SOI Conference.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::7165e06c2519aed559630a1be897fd4f
https://doi.org/10.1109/soi.1992.664826
https://doi.org/10.1109/soi.1992.664826